DataSheet26.com


M28F220 даташит

Функция этой детали – «(m28f210 / M28f220) 2m Flash Memory».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M28F220 ST Microelectronics
ST Microelectronics
  (M28F210 / M28F220) 2M Flash Memory

w w w t a .D S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "28F220", "M28F"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M28F008 Intel Corporation
Intel Corporation

8 MBIT (1 MBIT x 8) FLASH MEMORY

M28F008 8 MBIT (1 MBIT x 8) FLASH MEMORY Y High-Density Symmetrically Blocked Architecture Sixteen 64 Kbyte Blocks Extended Cycling Capability 10K Block Erase Cycles Minimum 160K Block Erase Cycles per Chip Automated Byte Write and Block Erase Command User Interface Status Regis
pdf
M28F010 Intel Corporation
Intel Corporation

1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY

M28F010 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY Y Y Y Y Y Flash Electrical Chip-Erase 5 Second Typical Quick-Pulse Programming Algorithm 10 ms Typical Byte-Program 2 Second Typical Chip-Program Single High Voltage for Writing and Erasing CMOS Low Power Consumption 30 mA Maximum A
pdf
M28F101 STMicroelectronics
STMicroelectronics

1 Mb FLASH MEMORY

M28F101 1 Mb (128K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY 5V ±10% SUPPLY VOLTAGE 12V PROGRAMMING VOLTAGE FAST ACCESS TIME: 70ns BYTE PROGRAMING TIME: 10µs typical ELECTRICAL CHIP ERASE in 1s RANGE LOW POWER CONSUMPTION – Stand-by Current: 100µA max 10,000 ERASE/PROGRAM CYCLES INTEG
pdf
M28F102 STMicroelectronics
STMicroelectronics

1 Mbit Flash Memory

Datasheet.es M28F102 1 Mbit (64Kb x16, Bulk) Flash Memory 5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE 12V PROGRAMMING VOLTAGE FAST ACCESS TIME: 90ns BYTE PROGRAMMING TIME: 10µs typical ELECTRICAL CHIP ERASE in 1s RANGE LOW POWER CONSUMPTION – Stand-by Current: 5µA typical 10,000 ERASE/P
pdf
M28F201 STMicroelectronics
STMicroelectronics

2 Mb FLASH MEMORY

M28F201 2 Mb (256K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY 5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE 12V PROGRAMMING VOLTAGE FAST ACCESS TIME: 70ns BYTE PROGRAMMING TIME: 10µs typical ELECTRICAL CHIP ERASE in 1s RANGE LOW POWER CONSUMPTION – Active Current: 15mA typical – Stand-by Current: 10µA typ
pdf
M28F210 ST Microelectronics
ST Microelectronics

(M28F210 / M28F220) 2M Flash Memory

w w w t a .D S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты