|
M28F220 даташитФункция этой детали – «(m28f210 / M28f220) 2m Flash Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M28F220 | ST Microelectronics |
(M28F210 / M28F220) 2M Flash Memory w
w
w
t a .D
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
Это результат поиска, начинающийся с "28F220", "M28F" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M28F008 | Intel Corporation |
8 MBIT (1 MBIT x 8) FLASH MEMORY M28F008 8 MBIT (1 MBIT x 8) FLASH MEMORY
Y
High-Density Symmetrically Blocked Architecture Sixteen 64 Kbyte Blocks Extended Cycling Capability 10K Block Erase Cycles Minimum 160K Block Erase Cycles per Chip Automated Byte Write and Block Erase Command User Interface Status Regis |
|
M28F010 | Intel Corporation |
1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY M28F010 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
Y
Y
Y
Y
Y
Flash Electrical Chip-Erase 5 Second Typical Quick-Pulse Programming Algorithm 10 ms Typical Byte-Program 2 Second Typical Chip-Program Single High Voltage for Writing and Erasing CMOS Low Power Consumption 30 mA Maximum A |
|
M28F101 | STMicroelectronics |
1 Mb FLASH MEMORY M28F101
1 Mb (128K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY
5V ±10% SUPPLY VOLTAGE 12V PROGRAMMING VOLTAGE
FAST ACCESS TIME: 70ns BYTE PROGRAMING TIME: 10µs typical ELECTRICAL CHIP ERASE in 1s RANGE
LOW POWER CONSUMPTION – Stand-by Current: 100µA max 10,000 ERASE/PROGRAM CYCLES
INTEG |
|
M28F102 | STMicroelectronics |
1 Mbit Flash Memory Datasheet.es
M28F102
1 Mbit (64Kb x16, Bulk) Flash Memory
5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE 12V PROGRAMMING VOLTAGE FAST ACCESS TIME: 90ns BYTE PROGRAMMING TIME: 10µs typical ELECTRICAL CHIP ERASE in 1s RANGE LOW POWER CONSUMPTION – Stand-by Current: 5µA typical 10,000 ERASE/P |
|
M28F201 | STMicroelectronics |
2 Mb FLASH MEMORY M28F201
2 Mb (256K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY
5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE 12V PROGRAMMING VOLTAGE FAST ACCESS TIME: 70ns BYTE PROGRAMMING TIME: 10µs typical ELECTRICAL CHIP ERASE in 1s RANGE LOW POWER CONSUMPTION – Active Current: 15mA typical – Stand-by Current: 10µA typ |
|
M28F210 | ST Microelectronics |
(M28F210 / M28F220) 2M Flash Memory w
w
w
t a .D
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |