|
LMZ35003 даташитФункция этой детали – «2.5-a Simple Switcher Power Module With 7-v To». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
LMZ35003 | Texas Instruments |
2.5-A SIMPLE SWITCHER Power Module with 7-V to 50-V Input in QFN Package |
Это результат поиска, начинающийся с "35003", "LMZ35" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MRFG35003M6T1 | Motorola Semiconductors |
GALLIUM ARSENIDE PHEMT
MOTOROLA
Freescale Semiconductor, Inc.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MRFG35003M6T1/D
The RF GaAs Line
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for 3.5 GHz WLL/MMDS/BWA or UMTS applications. Characterized from |
|
MRFG35003MT1 | Motorola Semiconductors |
The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MOTOROLA
Freescale Semiconductor, Inc.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MRFG35003MT1/D
The RF GaAs Line
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from |
|
MRFG35003MT1 | Freescale Semiconductor |
RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT
Freescale Semiconductor Technical Data
Available at http://www.freescale.com/rf, Go to Tools Rev. 1, 6/2005
RF Reference Design Library
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistors
Device Characteristics (From Device Data Sheet) Designed for WL |
|
MRFG35003N6T1 | Freescale Semiconductor |
POWER FET GaAs PHEMT Freescale Semiconductor Technical Data
Document Number: MRFG35003N6 Rev. 5, 1/2006
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for 3.5 GHz WLL/MMDS/BWA or UMTS applications. Characterized from 0.5 to 5.0 GHz. Device is unmatched and is characterized for use |
|
MRFG35003NT1 | Freescale Semiconductor |
RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT
Freescale Semiconductor Technical Data
Available at http://www.freescale.com/rf, Go to Tools Rev. 1, 6/2005
RF Reference Design Library
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistors
Device Characteristics (From Device Data Sheet) Designed for WL |
|
RTH35003-20D | RFHIC |
GaN Doherty Hybrid Amplifier GaN Doherty Hybrid Amplifier RTH35003-20D
Product Features
• GaN on SiC Chip on Board • Surface Mount Hybrid Type • 2-Stage Doherty Amplifier • High Efficiency • No Matching circuit needed
Applications
• RF Sub-Systems • Base Station • RRH •4G/ LTE system • |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |