DataSheet26.com


LMZ35003 даташит

Функция этой детали – «2.5-a Simple Switcher Power Module With 7-v To».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
LMZ35003 Texas Instruments
Texas Instruments
  2.5-A SIMPLE SWITCHER Power Module with 7-V to 50-V Input in QFN Package

pdf

Это результат поиска, начинающийся с "35003", "LMZ35"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MRFG35003M6T1 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

GALLIUM ARSENIDE PHEMT

MOTOROLA Freescale Semiconductor, Inc. SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MRFG35003M6T1/D The RF GaAs Line Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Designed for 3.5 GHz WLL/MMDS/BWA or UMTS applications. Characterized from
pdf
MRFG35003MT1 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

MOTOROLA Freescale Semiconductor, Inc. SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MRFG35003MT1/D The RF GaAs Line Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from
pdf
MRFG35003MT1 Freescale Semiconductor
Freescale Semiconductor

RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT

Freescale Semiconductor Technical Data Available at http://www.freescale.com/rf, Go to Tools Rev. 1, 6/2005 RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors Device Characteristics (From Device Data Sheet) Designed for WL
pdf
MRFG35003N6T1 Freescale Semiconductor
Freescale Semiconductor

POWER FET GaAs PHEMT

Freescale Semiconductor Technical Data Document Number: MRFG35003N6 Rev. 5, 1/2006 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Designed for 3.5 GHz WLL/MMDS/BWA or UMTS applications. Characterized from 0.5 to 5.0 GHz. Device is unmatched and is characterized for use
pdf
MRFG35003NT1 Freescale Semiconductor
Freescale Semiconductor

RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT

Freescale Semiconductor Technical Data Available at http://www.freescale.com/rf, Go to Tools Rev. 1, 6/2005 RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors Device Characteristics (From Device Data Sheet) Designed for WL
pdf
RTH35003-20D RFHIC
RFHIC

GaN Doherty Hybrid Amplifier

GaN Doherty Hybrid Amplifier RTH35003-20D Product Features • GaN on SiC Chip on Board • Surface Mount Hybrid Type • 2-Stage Doherty Amplifier • High Efficiency • No Matching circuit needed Applications • RF Sub-Systems • Base Station • RRH •4G/ LTE system •
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты