|
L-13-155-G-B даташитФункция этой детали – «Light Emitting Diodes». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
L-13-155-G-B | Luminent |
Light Emitting Diodes L-13-155-G-B
1310 nm Light Emitting Diodes
Features
• High efficiency • -40 to +85˚C operating temperature • Hermetically sealed active component
Packaging
• TO-46 package with integrated ball lens cap
Applications
• Optical data communication transmitter • E-O converters • LANS • FDDI networks • FITL
Absolute Maximum Ratings (Tc=25°C) Parameter Symbol Value Reverse Voltage VR 2 Forward Current IF 150 Soldering 240˚C /10 sec Operating Temperature Topr -40 to +85 Storage Tempe |
|
L-13-155-G-BB | Luminent |
Light Emitting Diode 1310nm
L –13 -155-G-B L-13-155-G-BB
1310nm Light Emitting Diodes
Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃)
Parameter
Reverse voltage Forward Current Soldering Operating Temperature Storage Temperature Topr Tstg
Features
High efficiency -40 ~85℃ operating temperature Hermetically sealed active component
Packaging
TO-46 package with integrated ball lens cap (L-13-155-G-B/BB)
Symbol
VR IF
Value
2 150 240℃/10sec -40~+85 -40~+85
Unit
V mA
Applications
Optical data communication transmitter E-O con |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |