DataSheet26.com


KTC5197 даташит

Функция этой детали – «Triple Diffused NPN Transistor(high Power Amplifier)».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
KTC5197 KEC(Korea Electronics)
KEC(Korea Electronics)
  TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(HIGH POWER AMPLIFIER)

Free Datasheet http:///
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5197", "KTC5"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N5197 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix

Monolithic N-Channel JFET Duals

2N5196/5197/5198/5199 Vishay Siliconix Monolithic N-Channel JFET Duals PRODUCT SUMMARY Part Number 2N5196 2N5197 2N5198 2N5199 VGS(off) (V) –0.7 to –4 –0.7 to –4 –0.7 to –4 –0.7 to –4 V(BR)GSS Min (V) –50 –50 –50 –50 gfs Min (mS) 1 1 1 1 IG Max (pA)
pdf
2N5197 Taitron Components
Taitron Components

(2N5xxx) JFET

N-Channel Metal Can JFET’s Part No. BVGSS Min. (V) VP Min. (V) @ Max. (V) (V) VD S & 2N5432 2N5433 2N5434 25 4.0 3.0 1.0 10.0 Part No. w w 2N3684 2N3686 2N3822 w .D BV GSS Min. (V) 50 50 50 40 35 30 30 30 25 at h S a (V) 2.0 0.6 1.0 2.5 2.5 4.0 2.0 1.0 ee 9.0 4.0
pdf
2N5197 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans JFET N-CH 6-Pin TO-71

pdf
2N5197 TEMIC
TEMIC

Monolithic N-Channel JFET Dual

Siliconix 2N5196/5197/5198/5199 Monolithic NĆChannel JFET Duals Product Summary Part Number 2N5196 2N5197 2N5198 2N5199 VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) -0.7 to -4 -50 1 -0.7 to -4 -50 1 -0.7 to -4 -50 1 -0.7 to -4 -50 1 IG Max (pA) -15 -15 -15 -15 j
pdf
2N5197 InterFET
InterFET

N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor

8/2014 2N5196, 2N5197, 2N5198, 2N5199 N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor ∙ Differencial Inputs At 25oC free air temperature Static Electrical Characteristics Gate Source Breakdown Voltage V(BR)GSS Gate Reverse Current Gate Source Cutoff Voltage Drain S
pdf
2SC5197 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5197 Power Amplifier Applications 2SC5197 Unit: mm • Complementary to 2SA1940 • Suitable for use in 55-W high fidelity audio amplifier’s output stage Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristics Collector-base volta
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты