|
KTC5197 даташитФункция этой детали – «Triple Diffused NPN Transistor(high Power Amplifier)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
KTC5197 | KEC(Korea Electronics) |
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(HIGH POWER AMPLIFIER) Free Datasheet http:///
|
Это результат поиска, начинающийся с "5197", "KTC5" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N5197 | Vishay Siliconix |
Monolithic N-Channel JFET Duals 2N5196/5197/5198/5199
Vishay Siliconix
Monolithic N-Channel JFET Duals
PRODUCT SUMMARY
Part Number
2N5196 2N5197 2N5198 2N5199
VGS(off) (V)
–0.7 to –4 –0.7 to –4 –0.7 to –4 –0.7 to –4
V(BR)GSS Min (V)
–50 –50 –50 –50
gfs Min (mS)
1 1 1 1
IG Max (pA)
|
|
2N5197 | Taitron Components |
(2N5xxx) JFET N-Channel Metal Can JFET’s
Part No. BVGSS Min. (V) VP Min. (V) @ Max. (V) (V) VD S &
2N5432 2N5433 2N5434 25
4.0 3.0 1.0
10.0
Part No.
w
w
2N3684 2N3686 2N3822
w
.D
BV GSS Min. (V) 50 50 50 40 35 30 30 30 25
at
h S a
(V) 2.0 0.6 1.0 2.5 2.5 4.0 2.0 1.0
ee
9.0 4.0
|
|
2N5197 | New Jersey Semiconductor |
Trans JFET N-CH 6-Pin TO-71 |
|
2N5197 | TEMIC |
Monolithic N-Channel JFET Dual Siliconix
2N5196/5197/5198/5199
Monolithic NĆChannel JFET Duals
Product Summary
Part Number
2N5196 2N5197 2N5198 2N5199
VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS)
-0.7 to -4
-50
1
-0.7 to -4
-50
1
-0.7 to -4
-50
1
-0.7 to -4
-50
1
IG Max (pA) -15 -15 -15 -15
j |
|
2N5197 | InterFET |
N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor 8/2014
2N5196, 2N5197, 2N5198, 2N5199
N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor
∙ Differencial Inputs
At 25oC free air temperature Static Electrical Characteristics Gate Source Breakdown Voltage V(BR)GSS
Gate Reverse Current
Gate Source Cutoff Voltage
Drain S |
|
2SC5197 | Toshiba Semiconductor |
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5197
Power Amplifier Applications
2SC5197
Unit: mm
• Complementary to 2SA1940 • Suitable for use in 55-W high fidelity audio amplifier’s output stage
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Collector-base volta |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |