|
KTC4080E даташитФункция этой детали – «Epitaxial Planar NPN Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
KTC4080E | KEC |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION.
FEATURES Small Reverse Transfer Capacitance : Cre=0.7pF(Typ.) Low Noise Figure : NF=2.5dB(Typ.) (f=100MHz).
KTC4080E
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Emitter Current Collector Power Dissipation Junction Temperature
VCBO VCEO VEBO
IC IE PC Tj
Storage Temperature Range
Tstg
R |
Это результат поиска, начинающийся с "4080E", "KTC40" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N4080 | Microsemi Corporation |
HIGH VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES |
|
1N4080 | Compensated Deuices Incorporated |
12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% • 12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% • TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES • EFFECTIVE TEMPERATURE COEFFICIENTS OF 0.005%/°C AND 0.002%/°C • HERMETICALLY SEALED, METALLURGICALLY BONDED, DOUBLE PLUG SUBASSEMBLIES ENCAPSULATED IN A PLASTIC CASE
1N4 |
|
1N4080 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 120V 5% 2W 2-Pin Case DD |
|
1N4080 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 120V 5% 2W 2-Pin Case DD |
|
1N4080A | Microsemi Corporation |
HIGH VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES |
|
1N4080A | Compensated Deuices Incorporated |
12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% • 12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% • TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES • EFFECTIVE TEMPERATURE COEFFICIENTS OF 0.005%/°C AND 0.002%/°C • HERMETICALLY SEALED, METALLURGICALLY BONDED, DOUBLE PLUG SUBASSEMBLIES ENCAPSULATED IN A PLASTIC CASE
1N4 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |