|
KP11N60 даташитФункция этой детали – «PDF». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
KP11N60D | KEC |
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
General Description
This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor correction and switching mode power supplies. FEATURES
VDSS=600V, ID=11A Drain-Source ON Resistance :
G H
KP11N60D
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
A C
K D L
B
J
E N
RDS(ON)(Max)=0.38 Qg(typ.)= 20nC
@VGS=10V
F
F
M
DIM MILLIMETERS _ 0.20 A 6.60 + _ 0.20 |
|
KP11N60F | KEC |
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
General Description
A
KP11N60F
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
C
F
This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor correction and switching mode power supplies. FEATURES
VDSS=600V, ID=11A Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)(Max)=0.38 Qg(typ.)= 20nC @VGS=10V
O
B
E
G
DIM
MILLIMETERS
L
M
J
R
D N N
MAXIMUM RATING (Tc=25
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |