DataSheet26.com


KP11N60 даташит

Функция этой детали – «PDF».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
KP11N60D KEC
KEC
  N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA General Description This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor correction and switching mode power supplies. FEATURES VDSS=600V, ID=11A Drain-Source ON Resistance : G H KP11N60D N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR A C K D L B J E N RDS(ON)(Max)=0.38 Qg(typ.)= 20nC @VGS=10V F F M DIM MILLIMETERS _ 0.20 A 6.60 + _ 0.20
pdf
KP11N60F KEC
KEC
  N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA General Description A KP11N60F N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR C F This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor correction and switching mode power supplies. FEATURES VDSS=600V, ID=11A Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)(Max)=0.38 Qg(typ.)= 20nC @VGS=10V O B E G DIM MILLIMETERS L M J R D N N MAXIMUM RATING (Tc=25
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты