|
KEF00F0000CM даташитФункция этой детали – «Flash Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
KEF00F0000CM | Samsung Semiconductor |
Flash Memory OneNANDTM256 / OneNANDTM512
FLASH MEMORY
OneNANDTMMCP SPECIFICATION
NAND Density 256Mb NAND T.B.D KEF00F0000CM-EG00 KEF00F0000CM-SG00 512Mb NAND KEC00C00CM-EGG0 KEC00C00CM-SGG0 T.B.D 2.6V(2.4V~2.8V) 2.6V(2.4V~2.8V) 1.8V(1.7V~1.95V) 1.8V(1.7V~1.95V) Part No. VCC_core 1.8V(1.7V~1.95V) 2.6V(2.4V~2.8V) VCC_IO 1.8V(1.7V~1.95V) 2.6V(2.4V~2.8V) T.B.D 63FBGA(LF) 63FBGA 63FBGA(LF) 63FBGA T.B.D PKG
Version: Ver. 0.0 Date: April 4, 2003
1
OneNANDTM256 / OneNANDTM512
1. FEATURES
• Design Technology: 0.25 |
|
KEF00F0000CM-EG00 | Samsung Semiconductor |
Flash Memory |
|
KEF00F0000CM-SG00 | Samsung Semiconductor |
Flash Memory |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |