DataSheet26.com


KEF00F0000CM даташит

Функция этой детали – «Flash Memory».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
KEF00F0000CM Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
  Flash Memory

OneNANDTM256 / OneNANDTM512 FLASH MEMORY OneNANDTMMCP SPECIFICATION NAND Density 256Mb NAND T.B.D KEF00F0000CM-EG00 KEF00F0000CM-SG00 512Mb NAND KEC00C00CM-EGG0 KEC00C00CM-SGG0 T.B.D 2.6V(2.4V~2.8V) 2.6V(2.4V~2.8V) 1.8V(1.7V~1.95V) 1.8V(1.7V~1.95V) Part No. VCC_core 1.8V(1.7V~1.95V) 2.6V(2.4V~2.8V) VCC_IO 1.8V(1.7V~1.95V) 2.6V(2.4V~2.8V) T.B.D 63FBGA(LF) 63FBGA 63FBGA(LF) 63FBGA T.B.D PKG Version: Ver. 0.0 Date: April 4, 2003 1 OneNANDTM256 / OneNANDTM512 1. FEATURES • Design Technology: 0.25
pdf
KEF00F0000CM-EG00 Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
  Flash Memory

pdf
KEF00F0000CM-SG00 Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
  Flash Memory

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты