|
KDZV33B даташитФункция этой детали – «Zener Diode». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
KDZV33B | ROHM Semiconductor |
Zener Diode Zener Diode
KDZV series
lApplication Voltage regulation
1.6±0.1
Data Sheet
lDimensions (Unit : mm)
0.1±0.1 0.05
lLand size figure (Unit : mm)
1.2
2) High ESD tolerance
0.12 3.5±0.2
2.6±0.1
1) Small power mold type. (PMDU)
PMDU
lStructure
0.9±0.1 0.8±0.1
Cathode
lConstruction Silicon epitaxial planar
ROHM : PMDU JEDEC : SOD-123 Manufacture Date EX. KDZV10B
Anode
lTaping specifications (Unit : mm)
4.0±0.1 2.0±0.05 φ 1.55±0.05 1.55 0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
0.25±0.05
8.0±0.2
1. |
Это результат поиска, начинающийся с "33B", "KDZV" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N2833B | Microsemi Corporation |
SILICON 50 WATT ZENER DIODES |
|
1N2833B | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 62V 5% 50W 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
1N3033B | Microsemi Corporation |
Silicon 1 WATT Zener Diodes 1N3016B thru 1N3051B 1 WATT METAL CASE ZENER DIODES
SCOTTSDALE DIVISION
DESCRIPTION This well established zener diode series for the 1N3016 thru 1N3051 JEDEC registration in the metal case DO-13 package provides a glass hermetic seal for 6.8 to 200 volts. It is also well suited |
|
1N3033B | Compensated Deuices Incorporated |
1 WATT ZENER DIODES • 1N3016B-1 thru 1N3045B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/115 • 1 WATT ZENER DIODES • METALLURGICALLY BONDED
1N3016B thru1N3045B and 1N3016B-1 thru 1N3045B-1
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C Storage Temperature: -65°C to +175 |
|
1N3033B | Microsemi Corporation |
1 WATT METAL CASE ZENER DIODES 1N3016B thru 1N3051B 1 WATT METAL CASE ZENER DIODES
SCOTTSDALE DIVISION
DESCRIPTION This well established zener diode series for the 1N3016 thru 1N3051 JEDEC registration in the metal case DO-13 package provides a glass hermetic seal for 6.8 to 200 volts. It is also well suited |
|
1N3033B | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 36V 5% 1W 2-Pin DO-13 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |