|
KDZV3.9B даташитФункция этой детали – «Zener Diode». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
KDZV3.9B | ROHM Semiconductor |
Zener Diode Zener Diode
KDZV series
lApplication Voltage regulation
1.6±0.1
Data Sheet
lDimensions (Unit : mm)
0.1±0.1 0.05
lLand size figure (Unit : mm)
1.2
2) High ESD tolerance
0.12 3.5±0.2
2.6±0.1
1) Small power mold type. (PMDU)
PMDU
lStructure
0.9±0.1 0.8±0.1
Cathode
lConstruction Silicon epitaxial planar
ROHM : PMDU JEDEC : SOD-123 Manufacture Date EX. KDZV10B
Anode
lTaping specifications (Unit : mm)
4.0±0.1 2.0±0.05 φ 1.55±0.05 1.55 0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
0.25±0.05
8.0±0.2
1. |
Это результат поиска, начинающийся с "3.9B", "KDZV3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
3.9BS | Semtech Corporation |
SILICON PLANAR ZENER DIODE |
|
3.9BSA | Semtech Corporation |
SILICON PLANAR ZENER DIODE |
|
3.9BSB | Semtech Corporation |
SILICON PLANAR ZENER DIODE |
|
C1Z3.9B | Central Semiconductor |
(C1Zxxx) SILICON ZENER DIODE C1Z3.3B THRU C1Z91B SILICON ZENER DIODE 3.3 VOLTS THRU 91 VOLTS 1.0 W, 5% TOLERANCE
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR C1Z3.3B Series Silicon Zener Diode is a high quality epoxy molded voltage regulator designed for use in industrial, commerc |
|
CDZ3.9B | ROHM Semiconductor |
Zener diode CDZ3.9B
Diodes
Zener diode
CDZ3.9B
zApplications Constant voltage control
0.6±0.05
zExternal dimensions (Unit : mm)
0.16±0.05
zLand size figure (Unit : mm)
0.55 0.45
zFeatures 1) 2-pin ultra mini-mold type for high-density mounting (VMN2). 2) High reliab |
|
CDZ3.9B | ROHM Semiconductor |
Zener diode CDZ3.9B
Diodes
Zener diode
CDZ3.9B
zApplications Constant voltage control zExternal dimensions (Unit : mm) 㩷
㪇㪅㪈㪍㫧㪇㪅㪇㪌 㪇㪅㪍㫧㪇㪅㪇㪌
zLand size figure (Unit : mm)
㪇㪅㪌㪌 㪇㪅㪋㪌
zFeatures 1) 2-pin ultra mini-mold type for high-density |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |