DataSheet26.com


KDZV24B даташит

Функция этой детали – «Zener Diode».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
KDZV24B ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
  Zener Diode

Zener Diode KDZV series lApplication Voltage regulation 1.6±0.1 Data Sheet lDimensions (Unit : mm) 0.1±0.1     0.05 lLand size figure (Unit : mm) 1.2 2) High ESD tolerance 0.12 3.5±0.2 2.6±0.1 1) Small power mold type. (PMDU) PMDU lStructure 0.9±0.1 0.8±0.1 Cathode lConstruction Silicon epitaxial planar ROHM : PMDU JEDEC : SOD-123 Manufacture Date EX. KDZV10B Anode lTaping specifications (Unit : mm) 4.0±0.1 2.0±0.05 φ 1.55±0.05 1.55  0.05 3.5±0.05 1.75±0.1 0.25±0.05 8.0±0.2 1.
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "24B", "KDZV"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
109P0424B3013 Sanyo
Sanyo

DC Fan

DC Fan 40 Material San Ace 40 mm sq. 10mm thick, 15mm thick, 20mm thick 28mm thick (GE type) 28mm thick (GV type), 28mm thick With a pulse sensor Specifications for pulse sensors Refer to Page 261 General Specifications Life Expectancy Lead Wire Stora
pdf
1N2624B New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

GOLD BONDED GERMANIUM DIODES

pdf
1N2824B Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

SILICON 50 WATT ZENER DIODES

pdf
1N2824B New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 33V 5% 50W 3-Pin(2+Tab) TO-3

pdf
1N2824B DSI
DSI

DIODE

Technical Data DIODE maximum ratings Voltage, Reverse (VZ) Voltage, Reverse Peak (VRM) Current at VR = OV (IO) Current Average Rectified (IF) Current Surge Peak (IZM) Current, Surge (IFM) at tp = Max. Power Dissipation (PT) at TC = 75 °C Max. Thermal Resistance (Rth J-C) Max.
pdf
1N2824B-M DSI
DSI

DIODE

Technical Data DIODE maximum ratings Voltage, Reverse (VZ) Voltage, Reverse Peak (VRM) Current at VR = OV (IO) Current Average Rectified (IF) Current Surge Peak (IZM) Current, Surge (IFM) at tp = Max. Power Dissipation (PT) at TC = 75 °C Max. Thermal Resistance (Rth J-C) Max.
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты