|
KDZV24B даташитФункция этой детали – «Zener Diode». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
KDZV24B | ROHM Semiconductor |
Zener Diode Zener Diode
KDZV series
lApplication Voltage regulation
1.6±0.1
Data Sheet
lDimensions (Unit : mm)
0.1±0.1 0.05
lLand size figure (Unit : mm)
1.2
2) High ESD tolerance
0.12 3.5±0.2
2.6±0.1
1) Small power mold type. (PMDU)
PMDU
lStructure
0.9±0.1 0.8±0.1
Cathode
lConstruction Silicon epitaxial planar
ROHM : PMDU JEDEC : SOD-123 Manufacture Date EX. KDZV10B
Anode
lTaping specifications (Unit : mm)
4.0±0.1 2.0±0.05 φ 1.55±0.05 1.55 0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
0.25±0.05
8.0±0.2
1. |
Это результат поиска, начинающийся с "24B", "KDZV" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
109P0424B3013 | Sanyo |
DC Fan DC Fan
40
Material
San Ace 40
mm sq.
10mm thick, 15mm thick, 20mm thick 28mm thick (GE type) 28mm thick (GV type), 28mm thick
With a pulse sensor Specifications for pulse sensors
Refer to Page 261
General Specifications
Life Expectancy Lead Wire Stora |
|
1N2624B | New Jersey Semiconductor |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
|
1N2824B | Microsemi Corporation |
SILICON 50 WATT ZENER DIODES |
|
1N2824B | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 33V 5% 50W 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
1N2824B | DSI |
DIODE Technical Data DIODE
maximum ratings
Voltage, Reverse (VZ) Voltage, Reverse Peak (VRM) Current at VR = OV (IO) Current Average Rectified (IF) Current Surge Peak (IZM) Current, Surge (IFM) at tp = Max. Power Dissipation (PT) at TC = 75 °C Max. Thermal Resistance (Rth J-C) Max. |
|
1N2824B-M | DSI |
DIODE Technical Data DIODE
maximum ratings
Voltage, Reverse (VZ) Voltage, Reverse Peak (VRM) Current at VR = OV (IO) Current Average Rectified (IF) Current Surge Peak (IZM) Current, Surge (IFM) at tp = Max. Power Dissipation (PT) at TC = 75 °C Max. Thermal Resistance (Rth J-C) Max. |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |