|
KDZ22B даташитФункция этой детали – «Zener Diode». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
KDZ22B | ROHM Semiconductor |
Zener diode KDZ30B
Diodes
Zener diode
KDZ30B
zApplications Voltage regulation zDimensions (Unit : mm)
㪈㪅㪍㫧㪇㪅㪈 㪇㪅㪈㫧㪇㪅㪈 䇭䇭䇭㩷㪇㪅㪇㪌
zLand size figure (Unit : mm)
㪈㪅㪉 㪇㪅㪏㪌
zFeatures 1) Small power mold type. (PMDU) 2) High ESD tolerance
㪉㪅㪍㫧㪇㪅㪈 㪊㪅㪌㫧㪇㪅㪉
㽲
㪧㪤㪛㪬
zConstruction Silicon epitaxial planar
㪇㪅㪐㫧㪇㪅㪈
zStructure
!̛
㪇㪅㪏㫧㪇㪅㪈
㪩㪦㪟㪤㩷㪑㩷㪧㪤㪛㪬 㪡㪜㪛㪜㪚㩷㪑㪪㪦㪛㪄㪈㪉㪊 㪤㪸 |
Это результат поиска, начинающийся с "22B", "KDZ" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
08122B | RENESAS |
PF08122B To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003 |
|
1N2622B | New Jersey Semiconductor |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
|
1N2822B | Microsemi Corporation |
SILICON 50 WATT ZENER DIODES |
|
1N2822B | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 27V 5% 50W 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
1N2822B | DSI |
DIODE Technical Data DIODE
maximum ratings
Voltage, Reverse (VZ) Voltage, Reverse Peak (VRM) Current at VR = OV (IO) Current Average Rectified (IF) Current Surge Peak (IZM) Current, Surge (IFM) at tp = Max. Power Dissipation (PT) at TC = 75 °C Max. Thermal Resistance (Rth J-C) Max. |
|
1N3022B | Microsemi Corporation |
Silicon 1 WATT Zener Diodes 1N3016B thru 1N3051B 1 WATT METAL CASE ZENER DIODES
SCOTTSDALE DIVISION
DESCRIPTION This well established zener diode series for the 1N3016 thru 1N3051 JEDEC registration in the metal case DO-13 package provides a glass hermetic seal for 6.8 to 200 volts. It is also well suited |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |