DataSheet26.com


KDV804M даташит

Функция этой детали – «Variable Capacitance Diode SilICon Epitaxial Planar Diode(tuning Of».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
KDV804M KEC(Korea Electronics)
KEC(Korea Electronics)
  VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRCUIT)

pdf
KDV804M KEC
KEC
  SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRCUIT, PUSH-PULL CIRCUIT IN FM RANGE, ESPECIALLY FOR CAR AUDIO. FEATURES Low Series Resistance : rs=0.3(TYP.). Small Package : SOT-23. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL Reverse Voltage Junction Temperature VR Tj Storage Temperature Range Tstg RATING 15 150 -55 150 UNIT V CLASSIFICATION OF CAPACITANCE RATIO GRADE GRADE CAPACITANCE(C2V) UNIT A 42 43.5 B 43 44.5 C 44 45.5 pF D 45 46.5 E 46 47.5 Marking Grade K3Type Name Lot No. J
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты