|
KDV804M даташитФункция этой детали – «Variable Capacitance Diode SilICon Epitaxial Planar Diode(tuning Of». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
KDV804M | KEC(Korea Electronics) |
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRCUIT) |
|
KDV804M | KEC |
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRCUIT, PUSH-PULL CIRCUIT IN FM RANGE, ESPECIALLY FOR CAR AUDIO.
FEATURES Low Series Resistance : rs=0.3(TYP.). Small Package : SOT-23.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Reverse Voltage Junction Temperature
VR Tj
Storage Temperature Range
Tstg
RATING 15 150
-55 150
UNIT V
CLASSIFICATION OF CAPACITANCE RATIO GRADE
GRADE
CAPACITANCE(C2V)
UNIT
A 42 43.5
B 43 44.5
C
44 45.5
pF
D 45 46.5
E 46 47.5
Marking
Grade
K3Type Name
Lot No.
J |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |