DataSheet26.com


K7R323682M даташит

Функция этой детали – «1mx36 & 2mx18 & 4mx9 Qdrtm Ii B2».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K7R323682M Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM

K7R323682M K7R321882M K7R320982M Document Title 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDR TM II b2 SRAM 1Mx36-bit, 2Mx18-bit, 4Mx9-bit QDRTM II b2 SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. 2. 3. 4. 5. 6. Pin name change from DLL to Doff. Vddq range change from 1.5V to 1.5V~1.8V. Update JTAG test conditions. Reserved pin for high density name change from NC to Vss/SA Delete AC test condition about Clock Input timing Reference Level Delete clock description on page 2 and add HSTL I/O comment Draft Date June
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "7R323682M", "K7R3236"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
DS_K7R323682M Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM

K7R323682M K7R321882M K7R320982M Document Title 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDR TM II b2 SRAM 1Mx36-bit, 2Mx18-bit, 4Mx9-bit QDRTM II b2 SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. 2. 3. 4. 5. 6. Pin name change from DLL to Doff. Vddq range change from 1.5V
pdf
K7R323682 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM

K7R323684M K7R321884M Document Title 1Mx36-bit, 2Mx18-bit QDR TM II b4 SRAM 1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Package dimension modify. P.20 from 13mmx15mm to 15mmx17mm 1. 2. 3. 4. 5. 6. Pin name change from DLL to
pdf
K7R323682C Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(K7R32xx82C) QDR II b2 SRAM

K7R323682C K7R321882C K7R320982C 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM 36Mb QDRII SRAM Specification 165 FBGA with Pb & Pb-Free (RoHS compliant) INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS, AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTI
pdf
K7R323684M Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM

K7R323682M K7R321882M K7R320982M Document Title 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDR TM II b2 SRAM 1Mx36-bit, 2Mx18-bit, 4Mx9-bit QDRTM II b2 SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. 2. 3. 4. 5. 6. Pin name change from DLL to Doff. Vddq range change from 1.5V
pdf
K7R323684M-FC16 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM

K7R323684M K7R321884M Document Title 1Mx36-bit, 2Mx18-bit QDR TM II b4 SRAM 1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Package dimension modify. P.20 from 13mmx15mm to 15mmx17mm 1. 2. 3. 4. 5. 6. Pin name change from DLL to
pdf
K7R323684M-FC20 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM

K7R323684M K7R321884M Document Title 1Mx36-bit, 2Mx18-bit QDR TM II b4 SRAM 1Mx36 & 2Mx18 QDRTM II b4 SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Package dimension modify. P.20 from 13mmx15mm to 15mmx17mm 1. 2. 3. 4. 5. 6. Pin name change from DLL to
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты