|
K7R321882 даташитФункция этой детали – «1mx36 & 2mx18 & 4mx9 Qdrtm Ii B2». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K7R321882 | Samsung semiconductor |
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM K7R323682M K7R321882M K7R320982M Document Title
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDR TM II b2 SRAM
1Mx36-bit, 2Mx18-bit, 4Mx9-bit QDRTM II b2 SRAM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. 2. 3. 4. 5. 6. Pin name change from DLL to Doff. Vddq range change from 1.5V to 1.5V~1.8V. Update JTAG test conditions. Reserved pin for high density name change from NC to Vss/SA Delete AC test condition about Clock Input timing Reference Level Delete clock description on page 2 and add HSTL I/O comment Draft Date June |
|
K7R321882C | Samsung semiconductor |
(K7R32xx82C) QDR II b2 SRAM
K7R323682C K7R321882C K7R320982C
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM
36Mb QDRII SRAM Specification
165 FBGA with Pb & Pb-Free
(RoHS compliant)
INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS, AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS |
|
K7R321882M | Samsung semiconductor |
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM K7R323682M K7R321882M K7R320982M Document Title
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDR TM II b2 SRAM
1Mx36-bit, 2Mx18-bit, 4Mx9-bit QDRTM II b2 SRAM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. 2. 3. 4. 5. 6. Pin name change from DLL to Doff. Vddq range change from 1.5V to 1.5V~1.8V. Update JTAG test conditions. Reserved pin for high density name change from NC to Vss/SA Delete AC test condition about Clock Input timing Reference Level Delete clock description on page 2 and add HSTL I/O comment Draft Date June |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |