|
K7R320982M даташитФункция этой детали – «1mx36 & 2mx18 & 4mx9 Qdrtm Ii B2». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K7R320982M | Samsung semiconductor |
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM K7R163684B K7R161884B
Document Title
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM II b4 SRAM
512Kx36-bit,1Mx18-bit QDRTM II b4 SRAM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Change the Boundary scan exit order. 2. Correct the Overshoot and Undershoot timing diagram. 1. Change JTAG Block diagram 1. Add the speed bin (-25) 1. Correct the JTAG ID register definition 2. Correct the AC timing parameter (delete the tKHKH Max value) 1. Change the Maximum Clock cycle time. 2. Correct the 165FBGA package ball size. 1. Add th |
Это результат поиска, начинающийся с "7R320982M", "K7R3209" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K7R320982C | Samsung semiconductor |
(K7R32xx82C) QDR II b2 SRAM
K7R323682C K7R321882C K7R320982C
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM
36Mb QDRII SRAM Specification
165 FBGA with Pb & Pb-Free
(RoHS compliant)
INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS, AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTI |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |