DataSheet26.com


K7R320982M даташит

Функция этой детали – «1mx36 & 2mx18 & 4mx9 Qdrtm Ii B2».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K7R320982M Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM

K7R163684B K7R161884B Document Title 512Kx36 & 1Mx18 QDRTM II b4 SRAM 512Kx36-bit,1Mx18-bit QDRTM II b4 SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Change the Boundary scan exit order. 2. Correct the Overshoot and Undershoot timing diagram. 1. Change JTAG Block diagram 1. Add the speed bin (-25) 1. Correct the JTAG ID register definition 2. Correct the AC timing parameter (delete the tKHKH Max value) 1. Change the Maximum Clock cycle time. 2. Correct the 165FBGA package ball size. 1. Add th
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "7R320982M", "K7R3209"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K7R320982C Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(K7R32xx82C) QDR II b2 SRAM

K7R323682C K7R321882C K7R320982C 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM 36Mb QDRII SRAM Specification 165 FBGA with Pb & Pb-Free (RoHS compliant) INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS, AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTI
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты