|
K7Q163664B даташитФункция этой детали – «(k7q161864b / K7q163664b) 512kx36 & 1mx18 Qdr Tm». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K7Q163664B | Samsung semiconductor |
(K7Q161864B / K7Q163664B) 512Kx36 & 1Mx18 QDR TM b4 SRAM
K7Q163664B K7Q161864B
Document Title
512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDRTM SRAM
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b4 SRAM
Revision History
Rev. No. 0.0 1.0 History 1. Initial document. 1. Final spec release Draft Date Jan. 27, 2004 Mar. 18, 2004 Remark Advance Final
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this d |
Это результат поиска, начинающийся с "7Q163664B", "K7Q1636" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K7Q163652A | Samsung semiconductor |
(K7Q161852A / K7Q163652A) 512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM
K7Q163652A K7Q161852A
Document Title
512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDRTM SRAM
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Amendment 1) Page 3,4 PIN NAME DESCRIPTION W (4A) : from Read Control Pin to Write Control |
|
K7Q163654A | Samsung semiconductor |
(K7Q161854A / K7Q163654A) 1Mx18-bit QDR SRAM
K7Q163654A K7Q161854A
Document Title
512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDRTM SRAM
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b4 SRAM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Amendment 1) Page 3,4 PIN NAME DESCRIPTION W (4A) : from Read Control Pin to Write Control |
|
K7Q163662B | Samsung semiconductor |
(K7Q161862B / K7Q163662B) 512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM
K7Q163662B K7Q161862B
Document Title
512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDRTM SRAM
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM
Revision History
Rev. No. 0.0 1.0 History 1. Initial document. 1. Final spec release Draft Date Jan. 27, 2004 Mar. 18, 2004 Remark Advance Final
The attach |
|
K7Q163682A | Samsung semiconductor |
(K7Q161882A / K7Q161882A) 512Kx36 & 1Mx18 QDR b2 SRAM
K7Q163682A K7Q161882A
Document Title
512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDRTM SRAM
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Icc, Isb addition 2. 1.8V Vddq addition 3. Speed bin change 1. Changed Pin configuration a |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |