DataSheet26.com


K7Q163654A даташит

Функция этой детали – «(k7q161854a / K7q163654a) 1mx18-bit Qdr Sram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K7Q163654A Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  (K7Q161854A / K7Q163654A) 1Mx18-bit QDR SRAM

K7Q163654A K7Q161854A Document Title 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDRTM SRAM 512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b4 SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Amendment 1) Page 3,4 PIN NAME DESCRIPTION W (4A) : from Read Control Pin to Write Control R (8A) : from Write Control Pin to Read Control BW0(7B),BW1(7A),BW2(5A),BW3(5B) : from Read Control Pin to Byte Wrtie Control 2) Page 7 STATE DIAGRAM from LEAD NOP to READ NOP 1. Amendment 1) Page 8 WRITE TRUTH TABLE(x36) BW2,BW3 values for WRI
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "7Q163654A", "K7Q1636"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K7Q163652A Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(K7Q161852A / K7Q163652A) 512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM

K7Q163652A K7Q161852A Document Title 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDRTM SRAM 512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Amendment 1) Page 3,4 PIN NAME DESCRIPTION W (4A) : from Read Control Pin to Write Control
pdf
K7Q163662B Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(K7Q161862B / K7Q163662B) 512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM

K7Q163662B K7Q161862B Document Title 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDRTM SRAM 512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM Revision History Rev. No. 0.0 1.0 History 1. Initial document. 1. Final spec release Draft Date Jan. 27, 2004 Mar. 18, 2004 Remark Advance Final The attach
pdf
K7Q163664B Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(K7Q161864B / K7Q163664B) 512Kx36 & 1Mx18 QDR TM b4 SRAM

K7Q163664B K7Q161864B Document Title 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDRTM SRAM 512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b4 SRAM Revision History Rev. No. 0.0 1.0 History 1. Initial document. 1. Final spec release Draft Date Jan. 27, 2004 Mar. 18, 2004 Remark Advance Final The attach
pdf
K7Q163682A Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(K7Q161882A / K7Q161882A) 512Kx36 & 1Mx18 QDR b2 SRAM

K7Q163682A K7Q161882A Document Title 512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDRTM SRAM 512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Icc, Isb addition 2. 1.8V Vddq addition 3. Speed bin change 1. Changed Pin configuration a
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты