DataSheet26.com


K7P403623B даташит

Функция этой детали – «128kx36 & 256kx18 Sram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K7P403623B Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  128Kx36 & 256Kx18 SRAM

K7P403623B K7P401823B Document Title 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM 128Kx36 & 256Kx18 SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History - Preliminary specification release - Update DC CHARACTERISTICS x36 : IDD6 : TBD -> 300, IDD65 -> 290, IDD7 -> 280. x18 : IDD6 : TBD -> 290, IDD65 -> 280, IDD7 -> 270. - Change simbol in DC CHARACTERISTICS IDD6, IDD65, IDD7 -> IDD65, IDD70, IDD75 - Final Version - Add Single ended differential clock on clock comment. Draft Date Oct. 2002 Jan. 2003 Remark Prelim
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "7P403623B", "K7P4036"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K7P403622B Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

K7P403622M K7P401822M Document Title 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM 128Kx36 & 256Kx18 SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History - Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB
pdf
K7P403622B-HC16 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

K7P403622M K7P401822M Document Title 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM 128Kx36 & 256Kx18 SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History - Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB
pdf
K7P403622B-HC20 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

K7P403622M K7P401822M Document Title 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM 128Kx36 & 256Kx18 SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History - Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB
pdf
K7P403622B-HC25 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

K7P403622M K7P401822M Document Title 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM 128Kx36 & 256Kx18 SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History - Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB
pdf
K7P403622M Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

K7P403622M K7P401822M Document Title 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM 128Kx36 & 256Kx18 SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History - Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB
pdf
K7P403622M-H16 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

K7P403622M K7P401822M Document Title 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM 128Kx36 & 256Kx18 SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History - Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты