|
K7P403623B даташитФункция этой детали – «128kx36 & 256kx18 Sram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K7P403623B | Samsung semiconductor |
128Kx36 & 256Kx18 SRAM K7P403623B K7P401823B
Document Title
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
Revision History
Rev. No.
Rev. 0.0 Rev. 0.1
History
- Preliminary specification release - Update DC CHARACTERISTICS x36 : IDD6 : TBD -> 300, IDD65 -> 290, IDD7 -> 280. x18 : IDD6 : TBD -> 290, IDD65 -> 280, IDD7 -> 270. - Change simbol in DC CHARACTERISTICS IDD6, IDD65, IDD7 -> IDD65, IDD70, IDD75 - Final Version - Add Single ended differential clock on clock comment.
Draft Date
Oct. 2002 Jan. 2003
Remark
Prelim |
Это результат поиска, начинающийся с "7P403623B", "K7P4036" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K7P403622B | Samsung semiconductor |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM K7P403622M K7P401822M
Document Title
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
Revision History
Rev. No.
Rev. 0.0 Rev. 0.1
History
- Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB |
|
K7P403622B-HC16 | Samsung semiconductor |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM K7P403622M K7P401822M
Document Title
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
Revision History
Rev. No.
Rev. 0.0 Rev. 0.1
History
- Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB |
|
K7P403622B-HC20 | Samsung semiconductor |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM K7P403622M K7P401822M
Document Title
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
Revision History
Rev. No.
Rev. 0.0 Rev. 0.1
History
- Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB |
|
K7P403622B-HC25 | Samsung semiconductor |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM K7P403622M K7P401822M
Document Title
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
Revision History
Rev. No.
Rev. 0.0 Rev. 0.1
History
- Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB |
|
K7P403622M | Samsung semiconductor |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM K7P403622M K7P401822M
Document Title
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
Revision History
Rev. No.
Rev. 0.0 Rev. 0.1
History
- Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB |
|
K7P403622M-H16 | Samsung semiconductor |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM K7P403622M K7P401822M
Document Title
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM
128Kx36 & 256Kx18 SRAM
Revision History
Rev. No.
Rev. 0.0 Rev. 0.1
History
- Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |