DataSheet26.com


K7P403622M-H19 даташит

Функция этой детали – «128kx36 & 256kx18 Synchronous Pipelined Sram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K7P403622M-H19 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

K7P403622M K7P401822M Document Title 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM 128Kx36 & 256Kx18 SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History - Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB and Input High Level. Updated tKHKL, tKLKH, tKHQX, tKHQX1 and AC Test Conditions. For JTAG, updated Vendor Definition and added tSVCH/tCHSX. - Final specification release Draft Date Remark Preliminary April, 1997 Preliminary Rev. 0.2 Jan.
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "7P403622M", "K7P403622M-"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K7P403622M Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

K7P403622M K7P401822M Document Title 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM 128Kx36 & 256Kx18 SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History - Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB
pdf
K7P403622M-H16 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

K7P403622M K7P401822M Document Title 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM 128Kx36 & 256Kx18 SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History - Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB
pdf
K7P403622M-H20 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM

K7P403622M K7P401822M Document Title 128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM 128Kx36 & 256Kx18 SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History - Preliminary specification release - Change specification format. No change was made in parameters. - Updated I DD, ISB
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты