|
K7N803609B-QC25 даташитФункция этой детали – «256kx36 & 512kx18-bit Flow Through Ntram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K7N803609B-QC25 | Samsung semiconductor |
256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM |
|
K7N803609B-QC25 | Samsung semiconductor |
256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM |
|
K7N803609B-QC25 | Samsung semiconductor |
256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM |
|
K7N803609B-QC25 | Samsung semiconductor |
256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM K7N803601B K7N801801B
Document Title
256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAMTM
256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 0.2 1.0 History 1. Initial document. 1. Add x32 org part and industrial temperature part 1. change scan order(1) form 4T to 6T at 119BGA(x18) 1. Final spec release 2. Change ISB2 form 50mA to 60mA Change ordering information( remove 225MHz at Nt-Pipelined) 1. Delete 119BGA package 1. Remove x32 organization Draft Date May. 18. 2001 Aug. 11. 2001 Aug. 28 .2001 Nov. 16. 2001 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |