DataSheet26.com


K7N401801B даташит

Функция этой детали – «(k7n401801b / K7n403601b) 128kx36 & 256kx18 Pipelined Ntram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K7N401801B Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  (K7N401801B / K7N403601B) 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM

K7N403601B K7N401801B 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM Document Title 128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Changed DC parameters Icc ; from 350mA to 290mA at -16, from 330mA to 270mA at -15, from 300mA to 250mA at -13, ISB1 ; from 100mA to 80mA 1. Add x32 org. and industrial temperature 1. Final spec release 2. Changed Pin Capacitance - Cin ; from 5pF to 4pF - Cout ; from 7pF to 6pF 1. Remove x32 organization 2. Remove -16 spe
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "7N401801B", "K7N4018"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K7N401801A Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(K7N401801A / K7N403601A) 128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM

K7N403601A K7N401801A 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM Document Title 128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAM TM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Changed DC condition at Icc and ISB. Icc ; from 350mA to 400mA at -16, from 3
pdf
K7N401801M Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(K7N401801M / K7N403601M) 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM-TM

K7N403601M K7N401801M 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM Document Title 128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAM TM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Changed tCD,tOE from 4.0ns to 4.2ns at -75 2. Changed DC condition at Icc and
pdf
K7N401809B Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(K7N401809B / K7N403609B) 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM

K7N403609B K7N401809B 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM Document Title 128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Changed DC parameters Icc ; from 470mA to 400mA at -25, from 440mA to 360mA at
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты