|
K7N401801B даташитФункция этой детали – «(k7n401801b / K7n403601b) 128kx36 & 256kx18 Pipelined Ntram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K7N401801B | Samsung semiconductor |
(K7N401801B / K7N403601B) 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM K7N403601B K7N401801B
128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM
Document Title
128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Changed DC parameters Icc ; from 350mA to 290mA at -16, from 330mA to 270mA at -15, from 300mA to 250mA at -13, ISB1 ; from 100mA to 80mA 1. Add x32 org. and industrial temperature 1. Final spec release 2. Changed Pin Capacitance - Cin ; from 5pF to 4pF - Cout ; from 7pF to 6pF 1. Remove x32 organization 2. Remove -16 spe |
Это результат поиска, начинающийся с "7N401801B", "K7N4018" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K7N401801A | Samsung semiconductor |
(K7N401801A / K7N403601A) 128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM K7N403601A K7N401801A
128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM
Document Title
128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAM TM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Changed DC condition at Icc and ISB. Icc ; from 350mA to 400mA at -16, from 3 |
|
K7N401801M | Samsung semiconductor |
(K7N401801M / K7N403601M) 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM-TM K7N403601M K7N401801M
128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM
Document Title
128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAM TM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Changed tCD,tOE from 4.0ns to 4.2ns at -75 2. Changed DC condition at Icc and |
|
K7N401809B | Samsung semiconductor |
(K7N401809B / K7N403609B) 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM K7N403609B K7N401809B
128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM
Document Title
128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Changed DC parameters Icc ; from 470mA to 400mA at -25, from 440mA to 360mA at |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |