|
K6X1008C2D-B даташитФункция этой детали – «128kx8 Bit Low Power Cmos StatIC Ram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K6X1008C2D-B | Samsung semiconductor |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM K6X1008C2D Family
Document Title
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No.
0.0 0.1
History
Initial draft Revised - Deleted 32-TSOP1-0820R Package Type. - Added Commercial product. Revised - Added Lead Free 32-SOP-525 Product Revised - Added Lead Free 32-TSOP1-0820F Product Finalized - Changed ICC from 10mA to 5mA - Changed ICC2 from 35mA to 25mA - Changed ISB from 3mA to 0.4mA - Changed IDR(industrial) from 15µA to 10µA - Changed IDR(Automotive) from 25µA to 20µA
Draft Data
Jul |
|
K6X1008C2D-BB55 | Samsung semiconductor |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
K6X1008C2D-BB70 | Samsung semiconductor |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
K6X1008C2D-BF55 | Samsung semiconductor |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
K6X1008C2D-BF70 | Samsung semiconductor |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |