|
K6X0808C1D даташитФункция этой детали – «32kx8 Bit Low Power Cmos StatIC Ram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K6X0808C1D | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM K6X0808C1D Family
Document Title
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No.
0.0 1.0
History
Initial draft Finalized - Changed ICC from 10mA to 5mA - Changed ICC1 from 8mA to 7mA - Changed ICC2 from 35mA to 25mA - Changed ISB from 3mA to 0.4mA - Changed IDR for K6X0808C1D-F 15µA to 10µA - Changed IDR for K6X0808C1D-Q 25µA to 20µA - Errata correction
Draft Data
October 09, 2002 December 16, 2003
Remark
Preliminary Final
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. |
|
K6X0808C1D-DF55 | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
K6X0808C1D-DF70 | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
K6X0808C1D-F | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
K6X0808C1D-GF55 | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
K6X0808C1D-GF70 | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
K6X0808C1D-GQ55 | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
K6X0808C1D-GQ70 | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
[1]  [2]
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |