DataSheet26.com


K6T4016V3C-TB70 даташит

Функция этой детали – «256kx16 Bit Low Power And Low Voltage Cmos».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K6T4016V3C-TB70 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

K6T4016V3C, K6T4016U3C Family Document Title 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No 0.0 0.1 History Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Characteristics change ICC: 5mA at read/write to 4mA at read ICC1: 5mA to 6mA ICC2: 50mA to 45mA ISB: 0.5mA to 0.3mA ISB1: 10µA to 15µA for commercial parts Errata correction Finalize Revise - Add K6T4016V3C-TB55 product Revise - Improved VOH(output
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "6T4016V3C", "K6T4016V3C-T"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K6T4016V3C Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

K6T4016V3C, K6T4016U3C Family Document Title 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No 0.0 0.1 History Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Charact
pdf
K6T4016V3C-B Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

K6T4016V3C, K6T4016U3C Family Document Title 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No 0.0 0.1 History Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Charact
pdf
K6T4016V3C-F Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

K6T4016V3C, K6T4016U3C Family Document Title 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No 0.0 0.1 History Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Charact
pdf
K6T4016V3C-RB10 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

K6T4016V3C, K6T4016U3C Family Document Title 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No 0.0 0.1 History Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Charact
pdf
K6T4016V3C-RB70 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

K6T4016V3C, K6T4016U3C Family Document Title 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No 0.0 0.1 History Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Charact
pdf
K6T4016V3C-RB85 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

K6T4016V3C, K6T4016U3C Family Document Title 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No 0.0 0.1 History Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Charact
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты