|
K6T4016U3C-RF70 даташитФункция этой детали – «256kx16 Bit Low Power And Low Voltage Cmos». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K6T4016U3C-RF70 | Samsung semiconductor |
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM K6T4016V3C, K6T4016U3C Family
Document Title
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No
0.0 0.1
History
Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Characteristics change ICC: 5mA at read/write to 4mA at read ICC1: 5mA to 6mA ICC2: 50mA to 45mA ISB: 0.5mA to 0.3mA ISB1: 10µA to 15µA for commercial parts Errata correction Finalize Revise - Add K6T4016V3C-TB55 product Revise - Improved VOH(output |
Это результат поиска, начинающийся с "6T4016U3C", "K6T4016U3C-R" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K6T4016U3C | Samsung semiconductor |
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM K6T4016V3C, K6T4016U3C Family
Document Title
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No
0.0 0.1
History
Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Charact |
|
K6T4016U3C-B | Samsung semiconductor |
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM K6T4016V3C, K6T4016U3C Family
Document Title
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No
0.0 0.1
History
Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Charact |
|
K6T4016U3C-F | Samsung semiconductor |
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM K6T4016V3C, K6T4016U3C Family
Document Title
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No
0.0 0.1
History
Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Charact |
|
K6T4016U3C-RB10 | Samsung semiconductor |
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM K6T4016V3C, K6T4016U3C Family
Document Title
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No
0.0 0.1
History
Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Charact |
|
K6T4016U3C-RB70 | Samsung semiconductor |
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM K6T4016V3C, K6T4016U3C Family
Document Title
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No
0.0 0.1
History
Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Charact |
|
K6T4016U3C-RB85 | Samsung semiconductor |
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM K6T4016V3C, K6T4016U3C Family
Document Title
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No
0.0 0.1
History
Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70/85ns to 70/85/100ns Industrial: 85/100ns to 70/85/100ns - DC Charact |
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |