DataSheet26.com


K6T1008C2E-DL70 даташит

Функция этой детали – «128kx8 Bit Low Power Cmos StatIC Ram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K6T1008C2E-DL70 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T1008C2E Family Document Title 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No. 0.0 1.0 History Design target Finalize - Improve tWP form 55ns to 50ns for 70ns product. - Remove 55ns speed bin from industrial product. Errata correction Revise Revise - Add 55ns parts to industrial products. Draft Data October 12, 1998 August 30, 1999 Remark Preliminary Final 1.01 2.0 3.0 December 1, 1999 February 14, 2000 March 3, 2000 Final Final The attached datasheets are provided by SAMSUNG Elect
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "6T1008C2E", "K6T1008C2E-D"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K6T1008C2E Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T1008C2E Family Document Title 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No. 0.0 1.0 History Design target Finalize - Improve tWP form 55ns to 50ns for 70ns product. - Remove 55ns speed bin from industrial product. Errata correction Revise Revi
pdf
K6T1008C2E-B Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T1008C2E Family Document Title 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No. 0.0 1.0 History Design target Finalize - Improve tWP form 55ns to 50ns for 70ns product. - Remove 55ns speed bin from industrial product. Errata correction Revise Revi
pdf
K6T1008C2E-DB55 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T1008C2E Family Document Title 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No. 0.0 1.0 History Design target Finalize - Improve tWP form 55ns to 50ns for 70ns product. - Remove 55ns speed bin from industrial product. Errata correction Revise Revi
pdf
K6T1008C2E-DB70 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T1008C2E Family Document Title 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No. 0.0 1.0 History Design target Finalize - Improve tWP form 55ns to 50ns for 70ns product. - Remove 55ns speed bin from industrial product. Errata correction Revise Revi
pdf
K6T1008C2E-DL55 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T1008C2E Family Document Title 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No. 0.0 1.0 History Design target Finalize - Improve tWP form 55ns to 50ns for 70ns product. - Remove 55ns speed bin from industrial product. Errata correction Revise Revi
pdf
K6T1008C2E-F Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T1008C2E Family Document Title 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No. 0.0 1.0 History Design target Finalize - Improve tWP form 55ns to 50ns for 70ns product. - Remove 55ns speed bin from industrial product. Errata correction Revise Revi
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты