DataSheet26.com


K6T0808C1D-RL70 даташит

Функция этой детали – «32kx8 Bit Low Power Cmos StatIC Ram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K6T0808C1D-RL70 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T0808C1D Family Document Title 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No History 0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO = 8 → 10pF - KM62256D-4/5/7 Family tOH = 5 → 10ns - KM62256DL/DLI IDR = 50→30µA KM62256DL-L/DLI-L I DR = 30 → 15µA Finalize - Remove ICC write value - Improved operating current ICC2 = 70 → 60mA - Improved standby current KM62256DL/D
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "6T0808C1D", "K6T0808C1D-R"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K6T0808C1D Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T0808C1D Family Document Title 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No History 0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO
pdf
K6T0808C1D-B Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T0808C1D Family Document Title 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No History 0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO
pdf
K6T0808C1D-DB55 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T0808C1D Family Document Title 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No History 0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO
pdf
K6T0808C1D-DB70 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T0808C1D Family Document Title 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No History 0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO
pdf
K6T0808C1D-DL55 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T0808C1D Family Document Title 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No History 0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO
pdf
K6T0808C1D-DL70 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T0808C1D Family Document Title 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No History 0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты