|
K6T0808C1D-RB70 даташитФункция этой детали – «32kx8 Bit Low Power Cmos StatIC Ram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K6T0808C1D-RB70 | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM K6T0808C1D Family
Document Title
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No History
0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO = 8 → 10pF - KM62256D-4/5/7 Family tOH = 5 → 10ns - KM62256DL/DLI IDR = 50→30µA KM62256DL-L/DLI-L I DR = 30 → 15µA Finalize - Remove ICC write value - Improved operating current ICC2 = 70 → 60mA - Improved standby current KM62256DL/D |
Это результат поиска, начинающийся с "6T0808C1D", "K6T0808C1D-R" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K6T0808C1D | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM K6T0808C1D Family
Document Title
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No History
0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO |
|
K6T0808C1D-B | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM K6T0808C1D Family
Document Title
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No History
0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO |
|
K6T0808C1D-DB55 | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM K6T0808C1D Family
Document Title
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No History
0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO |
|
K6T0808C1D-DB70 | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM K6T0808C1D Family
Document Title
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No History
0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO |
|
K6T0808C1D-DL55 | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM K6T0808C1D Family
Document Title
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No History
0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO |
|
K6T0808C1D-DL70 | Samsung semiconductor |
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM K6T0808C1D Family
Document Title
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No History
0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL/DLI ISB1 = 100 → 50µA KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10µA KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15µA - CIN = 6 → 8pF, CIO |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |