DataSheet26.com


K6R4008V1D даташит

Функция этой детали – «512kx8 Bit High Speed StatIC Ram(3.3v Operating). Operated».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K6R4008V1D Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

PRELIMINARY K6R4008V1D Document Title 512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. CMOS SRAM Revision History Rev No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 Rev. 0.2 History Initial release with Preliminary. Add Low Ver. Change Icc, Isb and Isb1 Item ICC(Commercial) 8ns 10ns 12ns 15ns 8ns 10ns 12ns 15ns Previous 110mA 90mA 80mA 70mA 130mA 115mA 100mA 85mA 30mA 0.5mA Current 80mA 65mA 55mA 45mA 100mA 85mA 75mA 65mA 20mA 1.2mA Nov.23. 2001 Draft Data Aug. 20. 2001 Sep. 19. 2001
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "6R4008V1D", "K6R4008"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K6R4008C1C Samsung
Samsung

512K x 8bit High Speed Static CMOS SRAM

PRELIMINARY K6R4008C1C-C, K6R4008C1C-E, K6R4008C1C-I CMOS SRAM Document Title 512Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating). Operated at Extended and Industrial Temperature Ranges. Revision History RevNo. Rev. 0.0 Rev. 1.0 History Initial release with Preliminary. 1.1 Removed L
pdf
K6R4008C1C-C Samsung
Samsung

512K x 8bit High Speed Static CMOS SRAM

PRELIMINARY K6R4008C1C-C, K6R4008C1C-E, K6R4008C1C-I CMOS SRAM Document Title 512Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating). Operated at Extended and Industrial Temperature Ranges. Revision History RevNo. History Rev. 0.0 Initial release with Preliminary. Rev. 1.0 1.1 Rem
pdf
K6R4008C1C-E Samsung
Samsung

512K x 8bit High Speed Static CMOS SRAM

PRELIMINARY K6R4008C1C-C, K6R4008C1C-E, K6R4008C1C-I CMOS SRAM Document Title 512Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating). Operated at Extended and Industrial Temperature Ranges. Revision History RevNo. History Rev. 0.0 Initial release with Preliminary. Rev. 1.0 1.1 Rem
pdf
K6R4008C1C-I Samsung
Samsung

512K x 8bit High Speed Static CMOS SRAM

PRELIMINARY K6R4008C1C-C, K6R4008C1C-E, K6R4008C1C-I CMOS SRAM Document Title 512Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating). Operated at Extended and Industrial Temperature Ranges. Revision History RevNo. History Rev. 0.0 Initial release with Preliminary. Rev. 1.0 1.1 Rem
pdf
K6R4008C1D Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

512K x8 Bit High Speed Static RAM

K6R4008C1D Document Title 512Kx8 Bit High Speed Static RAM(5.0V Operating). Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. Revision History PRELIMINARY CMOS SRAM RevNo. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History Initial release with Preliminary. Change Icc. Isb and Isb1 Item 10ns
pdf
K6R4008V1B Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

512K x8 Bit High Speed Static RAM

PRELIMINARY CMOS SRAM K6R4008V1B-C/B-L, K6R4008V1B-I/B-P Document Title 512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. Revision History Rev No. Rev. 0.0 Rev. 1.0 History Initial release with Desig
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты