DataSheet26.com


K6R4004C1C-E даташит

Функция этой детали – «1mx4 Bit High Speed StatIC Ram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K6R4004C1C-E Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  1Mx4 Bit High Speed Static RAM

K6R4004C1C-C, K6R4004C1C-I, K6R4004C1C-E Document Title 1Mx4 Bit High Speed Static RAM(5V Operating). Operated at Extended and Industrial Temperature Ranges. PRELIMINARY CMOS SRAM Revision History Rev No. Rev. 0.0 Rev. 1.0 History Initial release with Preliminary. 1.1 Removed Low power Version. 1.2 Removed Data Retention Characteristics 1.3 Changed ISB1 to 20mA 2.1 Relax D.C parameters. Item ICC 12ns 15ns 20ns Previous 160mA 155mA 150mA Current 190mA 185mA 180mA Draft Data Feb. 12. 1999 Mar. 29. 1999 Remark Preliminar
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "6R4004C1C", "K6R4004C1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K6R4004C1C-C Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

1Mx4 Bit High Speed Static RAM

K6R4004C1C-C, K6R4004C1C-I, K6R4004C1C-E Document Title 1Mx4 Bit High Speed Static RAM(5V Operating). Operated at Extended and Industrial Temperature Ranges. PRELIMINARY CMOS SRAM Revision History Rev No. Rev. 0.0 Rev. 1.0 History Initial release with Preliminary. 1.1 Removed L
pdf
K6R4004C1C-I Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

1Mx4 Bit High Speed Static RAM

K6R4004C1C-C, K6R4004C1C-I, K6R4004C1C-E Document Title 1Mx4 Bit High Speed Static RAM(5V Operating). Operated at Extended and Industrial Temperature Ranges. PRELIMINARY CMOS SRAM Revision History Rev No. Rev. 0.0 Rev. 1.0 History Initial release with Preliminary. 1.1 Removed L
pdf
K6R4004C1D Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

1Mx4 Bit High Speed Static RAM

K6R4004C1D Document Title 1Mx4 Bit High Speed Static RAM(5.0V Operating). Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. PRELIMINARY CMOS SRAM Revision History Rev No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History Initial release with Preliminary. Change Icc. Isb and Isb1 Item ICC(Comme
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты