|
K6R4004C1C-C даташитФункция этой детали – «1mx4 Bit High Speed StatIC Ram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K6R4004C1C-C | Samsung semiconductor |
1Mx4 Bit High Speed Static RAM K6R4004C1C-C, K6R4004C1C-I, K6R4004C1C-E
Document Title
1Mx4 Bit High Speed Static RAM(5V Operating). Operated at Extended and Industrial Temperature Ranges.
PRELIMINARY CMOS SRAM
Revision History
Rev No. Rev. 0.0 Rev. 1.0 History Initial release with Preliminary. 1.1 Removed Low power Version. 1.2 Removed Data Retention Characteristics 1.3 Changed ISB1 to 20mA 2.1 Relax D.C parameters. Item ICC 12ns 15ns 20ns Previous 160mA 155mA 150mA Current 190mA 185mA 180mA Draft Data Feb. 12. 1999 Mar. 29. 1999 Remark Preliminar |
Это результат поиска, начинающийся с "6R4004C1C", "K6R4004C1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K6R4004C1C-E | Samsung semiconductor |
1Mx4 Bit High Speed Static RAM K6R4004C1C-C, K6R4004C1C-I, K6R4004C1C-E
Document Title
1Mx4 Bit High Speed Static RAM(5V Operating). Operated at Extended and Industrial Temperature Ranges.
PRELIMINARY CMOS SRAM
Revision History
Rev No. Rev. 0.0 Rev. 1.0 History Initial release with Preliminary. 1.1 Removed L |
|
K6R4004C1C-I | Samsung semiconductor |
1Mx4 Bit High Speed Static RAM K6R4004C1C-C, K6R4004C1C-I, K6R4004C1C-E
Document Title
1Mx4 Bit High Speed Static RAM(5V Operating). Operated at Extended and Industrial Temperature Ranges.
PRELIMINARY CMOS SRAM
Revision History
Rev No. Rev. 0.0 Rev. 1.0 History Initial release with Preliminary. 1.1 Removed L |
|
K6R4004C1D | Samsung semiconductor |
1Mx4 Bit High Speed Static RAM K6R4004C1D
Document Title
1Mx4 Bit High Speed Static RAM(5.0V Operating). Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.
PRELIMINARY CMOS SRAM
Revision History
Rev No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 History Initial release with Preliminary. Change Icc. Isb and Isb1 Item ICC(Comme |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |