DataSheet26.com


K6R1016V1D даташит

Функция этой детали – «64kx16 Bit High-speed Cmos StatIC Ram(3.3v Operating) Operated».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K6R1016V1D Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

K6R1016V1D Document Title 64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. for AT&T CMOS SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 Rev. 0.2 Rev. 1.0 History Initial document. Speed bin modify Current modify 1. Delete 12ns speed bin. 2. Change Icc for Industrial mode. Item Previous 8ns 100mA ICC(Industrial) 10ns 85mA 1. Add tBA,tBLZ,tBHZ,tBW AC parematers. 1. Correct read cycle timing diagram(2). Draft Data May. 11. 2001 June. 18. 2001 September. 9.
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "6R1016V1D", "K6R1016"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K6R1016C1 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

K6R1016V1D Document Title 64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. for AT&T CMOS SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 Rev. 0.2 Rev. 1.0 History Initial document. Speed bin modify Current modify 1
pdf
K6R1016C1D Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

K6R1016V1D Document Title 64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. for AT&T CMOS SRAM Revision History Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 Rev. 0.2 Rev. 1.0 History Initial document. Speed bin modify Current modify 1
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты