|
K6R1016V1D даташитФункция этой детали – «64kx16 Bit High-speed Cmos StatIC Ram(3.3v Operating) Operated». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K6R1016V1D | Samsung semiconductor |
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. K6R1016V1D
Document Title
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.
for AT&T CMOS SRAM
Revision History
Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 Rev. 0.2 Rev. 1.0 History Initial document. Speed bin modify Current modify 1. Delete 12ns speed bin. 2. Change Icc for Industrial mode. Item Previous 8ns 100mA ICC(Industrial) 10ns 85mA 1. Add tBA,tBLZ,tBHZ,tBW AC parematers. 1. Correct read cycle timing diagram(2). Draft Data May. 11. 2001 June. 18. 2001 September. 9. |
Это результат поиска, начинающийся с "6R1016V1D", "K6R1016" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K6R1016C1 | Samsung semiconductor |
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. K6R1016V1D
Document Title
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.
for AT&T CMOS SRAM
Revision History
Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 Rev. 0.2 Rev. 1.0 History Initial document. Speed bin modify Current modify 1 |
|
K6R1016C1D | Samsung semiconductor |
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. K6R1016V1D
Document Title
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.
for AT&T CMOS SRAM
Revision History
Rev. No. Rev. 0.0 Rev. 0.1 Rev. 0.2 Rev. 1.0 History Initial document. Speed bin modify Current modify 1 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |