|
K4B4G1646D даташитФункция этой детали – «4gb D-die Ddr3 Sdram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K4B4G1646D | Samsung |
4Gb D-die DDR3 SDRAM Rev. 1.02, Feb. 2014 K4B4G1646D
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
4Gb D-die DDR3 SDRAM Only x16
datasheet
SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.
Products and specifications discussed herein are for reference purposes only. All information discussed herein is provided on an "AS IS" basis, without warranties of any kind. This document and all information discussed herein remain the sole and exclusive property of Samsung Electronics |
Это результат поиска, начинающийся с "4B4G1646D", "K4B4G16" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K4B4G1646B | Samsung |
4Gb B-die DDR3 SDRAM Rev. 1.0, Jan. 2012 K4B4G1646B
4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
Datasheet.esaSheet.net/
datasheet
SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.
Products and specificatio |
|
K4B4G1646E | Samsung |
4Gb E-die DDR3L SDRAM Rev. 1.0, Dec. 2014 K4B4G1646E
4Gb E-die DDR3L SDRAM Only x16
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
1.35V
datasheet SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE. Products and specifications discussed |
|
K4B4G1646Q | Samsung |
4Gb Q-die DDR3L SDRAM Rev. 0.5, Apr. 2013 K4B4G1646Q
Preliminary
4Gb Q-die DDR3L SDRAM Olny x16 1.35V
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
CAUTION : This document includes some items still under discussion in JEDEC Therefore, those may be changed without pre-notice based on JEDEC prog |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |