DataSheet26.com


K4B4G1646D даташит

Функция этой детали – «4gb D-die Ddr3 Sdram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K4B4G1646D Samsung
Samsung
  4Gb D-die DDR3 SDRAM

Rev. 1.02, Feb. 2014 K4B4G1646D 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant) 4Gb D-die DDR3 SDRAM Only x16 datasheet SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE. Products and specifications discussed herein are for reference purposes only. All information discussed herein is provided on an "AS IS" basis, without warranties of any kind. This document and all information discussed herein remain the sole and exclusive property of Samsung Electronics
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "4B4G1646D", "K4B4G16"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K4B4G1646B Samsung
Samsung

4Gb B-die DDR3 SDRAM

Rev. 1.0, Jan. 2012 K4B4G1646B 4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant) Datasheet.esaSheet.net/ datasheet SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE. Products and specificatio
pdf
K4B4G1646E Samsung
Samsung

4Gb E-die DDR3L SDRAM

Rev. 1.0, Dec. 2014 K4B4G1646E 4Gb E-die DDR3L SDRAM Only x16 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant) 1.35V datasheet SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE. Products and specifications discussed
pdf
K4B4G1646Q Samsung
Samsung

4Gb Q-die DDR3L SDRAM

Rev. 0.5, Apr. 2013 K4B4G1646Q Preliminary 4Gb Q-die DDR3L SDRAM Olny x16 1.35V 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant) CAUTION : This document includes some items still under discussion in JEDEC Therefore, those may be changed without pre-notice based on JEDEC prog
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты