DataSheet26.com


K4B1G0446G даташит

Функция этой детали – «1gb G-die Ddr3 Sdram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K4B1G0446G Samsung
Samsung
  1Gb G-die DDR3 SDRAM

Rev. 1.1, Aug. 2011 K4B1G0446G K4B1G0846G 1Gb G-die DDR3 SDRAM 78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant) datasheet SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE. Products and specifications discussed herein are for reference purposes only. All information discussed herein is provided on an "AS IS" basis, without warranties of any kind. This document and all information discussed herein remain the sole and exclusive property of Samsung Electronics
pdf
K4B1G0446G-BCF8 Samsung
Samsung
  1Gb G-die DDR3 SDRAM

pdf
K4B1G0446G-BCH9 Samsung
Samsung
  1Gb G-die DDR3 SDRAM

pdf
K4B1G0446G-BCK0 Samsung
Samsung
  1Gb G-die DDR3 SDRAM

pdf
K4B1G0446G-BCMA Samsung
Samsung
  1Gb G-die DDR3 SDRAM

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты