|
K4174 даташитФункция этой детали – «SilICon N-channel Enhancement Mos Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K4174 | Panasonic |
Silicon N-channel enhancement MOS FET Plehtatsp:e/M/vaiiwsniwttefw.nolsalenocmwiie/cnpolDgdiina.ssUncpceRoaodLnnnttiapidalinmsnbasuaouiocneneniuoetdtdcnd.ieltticnnaytnmocalp.eujaniuesepctn/ddtieeetentsnfyn/yfopaproelnelmdcoaetwitioynnpg.efourDisMcaionnttieProductnnulifecycleaenstage.dce/
Power MOS FETs
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SK4174
Silicon N-channel enhancement MOS FET
For high speed switching circuits
Features
Gate-source surrender voltage VGSS : ±25 V guaranteed Avalanche energy capability guarant |
Это результат поиска, начинающийся с "4174", "K4" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N4174 | New Jersey Semiconductor |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
|
1N4174A | New Jersey Semiconductor |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
|
1N4174B | New Jersey Semiconductor |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
|
2N4174 | Motorola Inc |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
|
2N4174 | New Jersey Semiconductor |
Thyristor SCR 800V 200A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
|
2N4174 | Solid State |
Silicon Controlled Rectifiers |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |