|
K4146 даташитФункция этой детали – «Mos Field Effect Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K4146 | Renesas |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Preliminary Data Sheet
2SK4146
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Description
R07DS0130EJ0100 Rev.1.00 Sep 24, 2010
The 2SK4146 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
• Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 10.1 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance ⎯ Ciss = 3500 pF TYP. (VDS = 10 V)
Ordering Information
Part No. 1 2SK4146-S19-AY ∗ LEAD PLATING Pure Sn (Tin) PACKING 50 pcs/tube Package TO-220, S19 tube
Note: ∗1. Pb-free (This produc |
Это результат поиска, начинающийся с "4146", "K4" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N4146 | National Semiconductor |
Diode Data |
|
2N4146 | Semitronics |
Thyristors and Triggers |
|
2SK4146 | Renesas |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Preliminary Data Sheet
2SK4146
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Description
R07DS0130EJ0100 Rev.1.00 Sep 24, 2010
The 2SK4146 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
• Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 10.1 mΩ MAX. |
|
41464P-10 | Toshiba |
TMM41464
Datasheet.esaSheet4U 4U.com
Datasheet.esaSheet4U 4U.com
www |
|
AOD4146 | Alpha & Omega Semiconductors |
30V N-Channel MOSFET AOD4146/AOI4146
30V N-Channel MOSFET SDMOS TM
General Description
The AOD4146/AOI4146 is fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technolo |
|
AOI4146 | Alpha & Omega Semiconductors |
30V N-Channel MOSFET AOD4146/AOI4146
30V N-Channel MOSFET SDMOS TM
General Description
The AOD4146/AOI4146 is fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technolo |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |