DataSheet26.com


K40T1202 даташит

Функция этой детали – «Igbt ( Insulated Gate Bipolar Transistor )».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K40T1202 Infineon
Infineon
  IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )

TrenchStop 2 Generation Series ® nd IKW40N120T2 Low Loss DuoPack :            IGBT in 2nd generation TrenchStop® with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode C Best in class TO247 Short circuit withstand time – 10s Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply TrenchStop® 2nd generation for 1200 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior Easy paralleling capability due to
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "40T1202", "K40T1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K40T120 Infineon
Infineon

IGBT

FDP52N20 / FDPF52N20T N-Channel MOSFET October 2007 UniFETTM FDP52N20 / FDPF52N20T N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049Ω Features • RDS(on) = 0.041Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 26A • Low gate charge ( Typ. 49nC) • Low Crss ( Typ. 66pF) • Fast switching • 100% avalanche
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты