![]() |
K40T120 даташитФункция этой детали – «Igbt ( Insulated Gate Bipolar Transistor )». |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K40T120 | ![]() Infineon |
IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) FDP52N20 / FDPF52N20T N-Channel MOSFET
October 2007
UniFETTM
FDP52N20 / FDPF52N20T
N-Channel MOSFET
200V, 52A, 0.049Ω Features
• RDS(on) = 0.041Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 26A • Low gate charge ( Typ. 49nC) • Low Crss ( Typ. 66pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improve dv/dt capability • RoHS compliant
tm
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advance technology has been |
![]() |
K40T1202 | ![]() Infineon |
IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) TrenchStop 2 Generation Series
®
nd
IKW40N120T2
Low Loss DuoPack :
IGBT in 2nd generation TrenchStop® with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
C
Best in class TO247 Short circuit withstand time – 10s Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply TrenchStop® 2nd generation for 1200 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior Easy paralleling capability due to |
![]() |
[1]  
Последние обновления

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |