|
K4070 даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk4070». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K4070 | NEC |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK4070
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK4070
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
DESCRIPTION The 2SK4070 is N-channel MOS FET device that features a low gate charge and excellent switching characteristics, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter.
FEATURES • Low on-state resistance
RDS(on) = 11 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 0.5 A) • Low gate charge
QG = 5 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 1.0 A) • Gate voltage rating : ±30 V • Avalanche capabi |
Это результат поиска, начинающийся с "4070", "K4" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N4070 | Microsemi Corporation |
HIGH VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES |
|
1N4070 | Compensated Deuices Incorporated |
12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% • 12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% • TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES • EFFECTIVE TEMPERATURE COEFFICIENTS OF 0.005%/°C AND 0.002%/°C • HERMETICALLY SEALED, METALLURGICALLY BONDED, DOUBLE PLUG SUBASSEMBLIES ENCAPSULATED IN A PLASTIC CASE
1N4 |
|
1N4070 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 56V 5% 2W 2-Pin Case DD |
|
1N4070 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 56V 5% 2W 2-Pin Case DD |
|
1N4070A | Microsemi Corporation |
HIGH VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES |
|
1N4070A | Compensated Deuices Incorporated |
12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% • 12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% • TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES • EFFECTIVE TEMPERATURE COEFFICIENTS OF 0.005%/°C AND 0.002%/°C • HERMETICALLY SEALED, METALLURGICALLY BONDED, DOUBLE PLUG SUBASSEMBLIES ENCAPSULATED IN A PLASTIC CASE
1N4 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |