|
K4069 даташитФункция этой детали – «N-channel Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K4069 | Renesas |
N-CHANNEL POWER MOSFET DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK4069
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION The 2SK4069 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier.
FEATURES • Low on-state resistance
RDS(on)1 = 12 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) • Low QGD: QGD = 3.2 nC TYP. • 4.5 V drive available
ORDERING INFORMATION
|
Это результат поиска, начинающийся с "4069", "K4" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N4069 | Microsemi Corporation |
HIGH VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES |
|
1N4069 | Compensated Deuices Incorporated |
12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% • 12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% • TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES • EFFECTIVE TEMPERATURE COEFFICIENTS OF 0.005%/°C AND 0.002%/°C • HERMETICALLY SEALED, METALLURGICALLY BONDED, DOUBLE PLUG SUBASSEMBLIES ENCAPSULATED IN A PLASTIC CASE
1N4 |
|
1N4069 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 51V 5% 2W 2-Pin Case DD |
|
1N4069 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 51V 5% 2W 2-Pin Case DD |
|
1N4069A | Microsemi Corporation |
HIGH VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES |
|
1N4069A | Compensated Deuices Incorporated |
12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% • 12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% • TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES • EFFECTIVE TEMPERATURE COEFFICIENTS OF 0.005%/°C AND 0.002%/°C • HERMETICALLY SEALED, METALLURGICALLY BONDED, DOUBLE PLUG SUBASSEMBLIES ENCAPSULATED IN A PLASTIC CASE
1N4 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |