DataSheet26.com


K3P6C2000B-SC даташит

Функция этой детали – «32m-bit (2mx16 /1mx32) Cmos Mask Rom».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K3P6C2000B-SC Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  32M-Bit (2Mx16 /1Mx32) CMOS MASK ROM

K3P6C2000B-SC 32M-Bit (2Mx16 /1Mx32) CMOS MASK ROM FEATURES • Switchable organization 2,097,152 x 16(word mode) 1,048,576 x 32(double word mode) • Fast access time Random Access : 100ns(Max.) Page Access : 30ns(Max.) • 4 double words/ 8 words page access • Current consumption Operating : 150mA(Max.) Standby : 50µA(Max.) • Fully static operation • All inputs and outputs TTL compatible • Three state outputs • Package -. K3P6C2000B-SC : 70-SSOP-500 CMOS MASK ROM GENERAL DESCRIPTION The K3P6C2000B-SC is a
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3P6C2000B", "K3P6C2000B"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
KMM5362000A1 Samsung Electronics
Samsung Electronics

2M x 36 DRAM SIMM Memory Module

( DataSheet : )
pdf
KMM5362000A1G Samsung Electronics
Samsung Electronics

2M x 36 DRAM SIMM Memory Module

( DataSheet : )
pdf
KMM5362000B Samsung Electronics
Samsung Electronics

2M x 36 DRAM SIMM Memory Module

( DataSheet : )
pdf
KMM5362000B2 Samsung Electronics
Samsung Electronics

2M x 36 DRAM SIMM Memory Module

( DataSheet : )
pdf
KMM5362000B2G Samsung Electronics
Samsung Electronics

2M x 36 DRAM SIMM Memory Module

( DataSheet : )
pdf
KMM5362000BG Samsung Electronics
Samsung Electronics

2M x 36 DRAM SIMM Memory Module

( DataSheet : )
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты