|
K3N7U4000C даташитФункция этой детали – «64m-bit (4m X 16) Cmos Mask Rom». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K3N7U4000C | Samsung Semiconductor |
64M-Bit (4M X 16) CMOS Mask ROM K3N7V(U)4000C-DC
64M-Bit (4Mx16) CMOS MASK ROM
FEATURES
• Switchable organization 4,194,304 x 16(word mode) • Fast access time 3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF, 120ns(Max.)@C L=100pF 3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF • Supply voltage : single +3.3V/ single +3.0V • Current consumption Operating : 40mA(Max.) • Fully static operation • All inputs and outputs TTL compatible • Three state outputs • Package -. K3N7V(U)4000C-DC: 42-DIP-600
CMOS MASK ROM
GENERAL DESCRIPTION
The K3N7 |
Это результат поиска, начинающийся с "3N7U4000C", "K3N7U40" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K3N7U4000B | Samsung Semiconductor |
64M-Bit (4M X 16) CMOS Mask ROM K3N7V(U)4000B-DC
64M-Bit (4Mx16) CMOS MASK ROM
FEATURES
• Switchable organization 4,194,304 x 16(word mode) • Fast access time 3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF, 120ns(Max.)@C L=100pF 3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF • Supply voltage : single +3.3V/ single +3.0V � |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |