DataSheet26.com


K3N5VU1000F-DC даташит

Функция этой детали – «16m-bit (2mx8 / 1mx16) Cmos Mask Rom».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K3N5VU1000F-DC Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
  16M-Bit (2Mx8 / 1Mx16) CMOS Mask ROM

K3N5V(U)1000F-D(G)C 16M-Bit (2Mx8 /1Mx16) CMOS MASK ROM FEATURES • Switchable organization 2,097,152 x 8(byte mode) 1,048,576 x 16(word mode) • Fast access time 3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF, 120ns(Max.)@CL=100pF 3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF • Supply voltage : single +3.0V/single +3.3V • Current consumption Operating : 40mA(Max.) Standby : 30µA(Max.) • Fully static operation • All inputs and outputs TTL compatible • Three state outputs • Package -. K3N5V(U)1000F-DC :
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3N5VU1000F", "K3N5VU1000F"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
K3N5VU1000F-DGC Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

16M-Bit (2Mx8 / 1Mx16) CMOS Mask ROM

K3N5V(U)1000F-D(G)C 16M-Bit (2Mx8 /1Mx16) CMOS MASK ROM FEATURES • Switchable organization 2,097,152 x 8(byte mode) 1,048,576 x 16(word mode) • Fast access time 3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF, 120ns(Max.)@CL=100pF 3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF • Supply voltage
pdf
TPSB335x0351000 AVX
AVX

Low ESR

( DataSheet : ) TPS Series Low ESR TPS surface mount pr oducts have inherently low ESR (equivalent series r esistance) and ar e capable of higher ripple curr ent handling, producing lower ripple voltages, less power and heat dissipation than standard product
pdf
TPSC225x0351000 AVX
AVX

Low ESR

( DataSheet : ) TPS Series Low ESR TPS surface mount pr oducts have inherently low ESR (equivalent series r esistance) and ar e capable of higher ripple curr ent handling, producing lower ripple voltages, less power and heat dissipation than standard product
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты