|
K3N5VU1000F-DC даташитФункция этой детали – «16m-bit (2mx8 / 1mx16) Cmos Mask Rom». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K3N5VU1000F-DC | Samsung Semiconductor |
16M-Bit (2Mx8 / 1Mx16) CMOS Mask ROM K3N5V(U)1000F-D(G)C
16M-Bit (2Mx8 /1Mx16) CMOS MASK ROM
FEATURES
• Switchable organization 2,097,152 x 8(byte mode) 1,048,576 x 16(word mode) • Fast access time 3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF, 120ns(Max.)@CL=100pF 3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF • Supply voltage : single +3.0V/single +3.3V • Current consumption Operating : 40mA(Max.) Standby : 30µA(Max.) • Fully static operation • All inputs and outputs TTL compatible • Three state outputs • Package -. K3N5V(U)1000F-DC : |
Это результат поиска, начинающийся с "3N5VU1000F", "K3N5VU1000F" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K3N5VU1000F-DGC | Samsung Semiconductor |
16M-Bit (2Mx8 / 1Mx16) CMOS Mask ROM K3N5V(U)1000F-D(G)C
16M-Bit (2Mx8 /1Mx16) CMOS MASK ROM
FEATURES
• Switchable organization 2,097,152 x 8(byte mode) 1,048,576 x 16(word mode) • Fast access time 3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF, 120ns(Max.)@CL=100pF 3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF • Supply voltage |
|
TPSB335x0351000 | AVX |
Low ESR ( DataSheet : )
TPS Series
Low ESR
TPS surface mount pr oducts have inherently low ESR (equivalent series r esistance) and ar e capable of higher ripple curr ent handling, producing lower ripple voltages, less power and heat dissipation than standard product |
|
TPSC225x0351000 | AVX |
Low ESR ( DataSheet : )
TPS Series
Low ESR
TPS surface mount pr oducts have inherently low ESR (equivalent series r esistance) and ar e capable of higher ripple curr ent handling, producing lower ripple voltages, less power and heat dissipation than standard product |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |