|
K3878 даташитФункция этой детали – «900v, 9a, N-channel Mos Field Effect Transistor». |
K3878 is a code for a specific electronic component, which is a N-channel MOSFET transistor commonly used in electronic circuits. It has a maximum voltage rating of 900 volts and a maximum current rating of 9 amperes. |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K3878 | Toshiba |
900V, 9A, N-channel MOS Field Effect Transistor 2SK3878
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)
2SK3878
Switching Regulator Applications
• • • • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic Drain-source voltage Drain-gate voltage (RGS = 20 kΩ) Gate-source voltage Drain current DC |
|
K3878 | nELL |
9A, 900V, N-Channel Power MOSFET |
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |