|
K3767 даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk3767». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| K3767 |  Toshiba Semiconductor |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK3767
2SK3767
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)
2SK3767
Switching Regulator Applications
• • • • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 3.3Ω (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.6S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100μA (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm
Maximum
Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics Symbol VDSS VDGR VGSS DC Pulse (Note 1) (Note 1) ID IDP PD EAS IAR EAR T |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "3767", "K3" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 1N3767 |  Digitron Semiconductors |
STANDARD RECOVERY RECTIFIERS 1N1183-1N1190, 1N3765-1N3768
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
FEATURES Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. Availabl |
 |
| 1N3767 |  Microsemi Corporation |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3767 |  International Rectifier |
35/40/and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes |
|
| 1N3767 |  America Semiconductor |
(1N3765 - 1N3768R) Silicon Standard Recovery Diode Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
|
|
| 1N3767 |  New Jersey Semiconductor |
Diode Switching 900V 40A 2-Pin DO-5 |
|
| 1N3767 |  GeneSiC |
Silicon Standard Recovery Diode Silicon Standard Recovery Diode
Features • High Surge Capability • Types from 700 V to 1000 V VRRM • Not ESD Sensitive
Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. 3. Stud is base.
1N3765 thru 1N3768R
VRRM = 700 V - 1000 V IF = 35 A
|
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |