DataSheet26.com


K3767 даташит

Функция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk3767».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K3767 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  MOSFET ( Transistor ) - 2SK3767

2SK3767 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) 2SK3767 Switching Regulator Applications • • • • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 3.3Ω (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.6S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100μA (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol VDSS VDGR VGSS DC Pulse (Note 1) (Note 1) ID IDP PD EAS IAR EAR T
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3767", "K3"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N3767 Digitron Semiconductors
Digitron Semiconductors

STANDARD RECOVERY RECTIFIERS

1N1183-1N1190, 1N3765-1N3768 High-reliability discrete products and engineering services since 1977 STANDARD RECOVERY RECTIFIERS FEATURES  Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.  Availabl
pdf
1N3767 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

Silicon Power Rectifier

pdf
1N3767 International Rectifier
International Rectifier

35/40/and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes

pdf
1N3767 America Semiconductor
America Semiconductor

(1N3765 - 1N3768R) Silicon Standard Recovery Diode

Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/ Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
pdf
1N3767 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Switching 900V 40A 2-Pin DO-5

pdf
1N3767 GeneSiC
GeneSiC

Silicon Standard Recovery Diode

Silicon Standard Recovery Diode Features • High Surge Capability • Types from 700 V to 1000 V VRRM • Not ESD Sensitive Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. 3. Stud is base. 1N3765 thru 1N3768R VRRM = 700 V - 1000 V IF = 35 A
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты