|
K3702 даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk3702». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| K3702 |  Sanyo Semicon Device |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK3702
Ordering number : ENN7502
2SK3702
N-Channel Silicon MOSFET
2SK3702
DC / DC Converter Applications
Features
• • •
Package Dimensions
unit : mm 2063A
[2SK3702]
10.0 3.2
3.5 7.2
Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive.
4.5 2.8
18.1
16.0
5.6
14.0
1.6 1.2 0.75
2.4 0.7
2.55
1 2 3 2.55
2.4
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) Drain Current (Pulse) Allowable Power Dissipation Channel |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "3702", "K3" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 1N3702B |  Central Semiconductor |
(1N3675B - 1N3710B) Zener Diode
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824
JEDEC DO-41 Case
DataShee
datasheet.esom
datasheet.esom
datasheet.esom DataSheet 4 U .com
et4U.com
datasheet.esom
Central
datasheet.esom
T |
 |
| 2N3702 |  Fairchild Semiconductor |
PNP General Purpose Amplifier 2N3702
2N3702
B
C
TO-92
E
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. See PN200 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
VCEO VCBO VEBO |
|
| 2N3702 |  Micro Electronics |
PNP/NPN SILICON GENERAL PURPOSE AF TRANSISTORS |
|
| 2N3702 | Micro Electronics |
(2N3702 - 2N3706) PNP NPN SILICON GENERAL PURPOSE AF TRANSISTORS |
|
| 2N3702 | Central Semiconductor |
(2N3xxx) PNP Switching and General Purpose |
|
| 2N3702 |  New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 3-Pin TO-92 Box |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |