|
K3673-01MR даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk3673-01mr». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| K3673-01MR |  Fuji Electric |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK3673-01MR 2SK3673-01MR
FUJI POWER MOSFET
200304
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Outline Drawings [mm]
TO-220F
Super FAP-G Series
Features
High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof
Applications
Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings
(Tc=25°C unless otherwise specified)
Item Drain-source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate-source voltage Repe |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "3673", "K3673-0" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 1N3673 |  Diotec Semiconductor |
Silicon-Power Rectifiers 1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673 PBY 271 ... PBY 277 Silicon-Power Rectifiers Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Metal case – Metallgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Recommended mounting torque Empfohlenes |
 |
| 1N3673 |  Solid State |
POWER RECTIFIER |
|
| 1N3673 |  Digitron Semiconductors |
STANDARD RECOVERY RECTIFIER 1N3670A-1N3673A
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
STANDARD RECOVERY RECTIFIER
FEATURES Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. Available as non-RoHS |
|
| 1N3673A |  Microsemi Corporation |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3673A |  Vishay |
Medium Power Silicon Rectifier Diodes 1N1...A, 1N36..A Series
Vishay High Power Products
Medium Power Silicon Rectifier Diodes, 12 A
FEATURES
• Voltage ratings from 50 to 1000 V • High surge capability • Low thermal impedance
RoHS
COMPLIANT
• High temperature rating
• Can be supplied as JAN and JAN-TX |
|
| 1N3673A | Solid State |
POWER RECTIFIER |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |