![]() |
K3502-01MR даташит PDFЭто Mosfet ( Transistor ) - 2sk3502-01mr. На странице результатов поиска K3502-01MR Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K3502-01MR | ![]() Fuji Electric |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK3502-01MR 2SK3502-01MR
Super FAP-G Series
Features
High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof
FUJI POWER MOSFET200303
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Outline Drawings [mm]
TO-220F
Applications
Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings
(Tc=25°C unless otherwise specified)
Ratings Unit V 600 A ±12 A ±48 V ±30 A 12 mJ 183 kV/µs 20 kV/µs 5 2.16 W 70 Operating and storage Tch +150 °C -5 |
![]() |
Это результат поиска, начинающийся с "3502", "K3502-0" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3502 | ![]() Microsemi Corporation |
CERTIFIED ZENER VOLTAGE STABILITY |
![]() |
1N3502 | ![]() New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 6.35V 5% 250mW 2-Pin DO-7 |
![]() |
267M3502xxxx | ![]() Matsuo Electronics |
(267M Series) Capacitors
SOLID-ELECTROLYTE TANTALUM CAPACITORS (TANCHIP SERIES)
®
TYPE
Epoxy resin molding chip Standard Series
267M
CAUTIONS
• This capacitor is polarized, do not apply reverse voltage. • The sum of peak value of AC and DC voltage should not exceed the rated |
![]() |
2N3502 | ![]() Seme LAB |
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N3502 2N3503 2N3504 2N3505
MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches)
5.84 (0.230) 5.31 (0.209) 4.95 (0.195) 4.52 (0.178)
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
5.33 (0.210) 4.32 (0.170)
12.7 (0.500) min.
FEATURES
• SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR
0.48 (0.019) 0.4 |
![]() |
2N3502 | ![]() New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 3-Pin TO-39 |
![]() |
2N3502SP | ![]() New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 3-Pin TO-39 |
![]() |
Последние обновления

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
введение сайта
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |