DataSheet26.com


K2959 даташит

Функция этой детали – «SilICon N Channel Mos Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K2959 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon N Channel MOS FET

2SK2959 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 7mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching Outline TO–220AB D G S ADE-208-569C (Z) 4th. Edition Aug 1998 1 2 3 1. Gate 2. Drain(Flange 3. Source 2SK2959 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Symbol Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body-drain diode reverse drain current Channel dissipation VDSS VGSS ID I Note1 D(pulse) I DR Pch Note2 Cha
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2959", "K2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N2959 Central
Central

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ VCB (µA) (V) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 4.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 7.0 7.0 5.0 4.0 7.0 7.0 7.0 7.0 5.0 4.0 4.0 5.0 4.0 4.0 4.0 5.0 5.0 5.0
pdf
2N2959 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT NPN 20V 3-Pin TO-18 Box

pdf
2N2959 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

SWITCHING TRANSISTORS

2N2959 CASE 79, STYLE 1 TO-39 (TO-205AD) SWITCHING TRANSISTORS NPN SILICON MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage —Collector Current Continuous Total Device Dissipation (5 T/ = 25°C Derate above 25°C Total Device Dissipat
pdf
2SC2959 NEC
NEC

NPN Silicon Transistor

DATA SHEET SILICON TRANSISTORS 2SC2958, 2959 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS FEATURES • Ideal for use of high voltage current such as TV vertical deflection (drive and output), audio output, pin cushion correction • Complementary transisto
pdf
2SK2959 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2959 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-569C (Z) 4th. Edition Aug 1998 Features • Low on-resistance R DS(on) = 7mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching Outline TO–220AB D G 1 2 S 3 1. Gate 2. Drain(Flange 3. Source 2S
pdf
AN12959A Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

I2C bus control compatible AGC built-in stereo BTL amplifier IC

DATA SHEET Part No. Package Code No. AN12959A UBGA021-W-2525AEA Publication date: October 2008 SDE00028BEB 1 AN12959A Contents „ Overview „ Features „ Package „ Type ……..…………………………………………………………………�
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты