|
K2959 даташитФункция этой детали – «SilICon N Channel Mos Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K2959 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET 2SK2959
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance RDS(on) = 7mΩ typ.
• 4V gate drive devices. • High speed switching
Outline
TO–220AB
D
G
S
ADE-208-569C (Z) 4th. Edition Aug 1998
1 2 3
1. Gate 2. Drain(Flange 3. Source
2SK2959
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body-drain diode reverse drain current Channel dissipation
VDSS VGSS ID I Note1
D(pulse)
I DR Pch Note2
Cha |
Это результат поиска, начинающийся с "2959", "K2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N2959 | Central |
Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued)
TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ VCB (µA) (V) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 4.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 7.0 7.0 5.0 4.0 7.0 7.0 7.0 7.0 5.0 4.0 4.0 5.0 4.0 4.0 4.0 5.0 5.0 5.0 |
|
2N2959 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 3-Pin TO-18 Box |
|
2N2959 | Motorola Semiconductors |
SWITCHING TRANSISTORS 2N2959
CASE 79, STYLE 1
TO-39 (TO-205AD)
SWITCHING TRANSISTORS
NPN SILICON
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
—Collector Current Continuous
Total Device Dissipation (5 T/ = 25°C Derate above 25°C
Total Device Dissipat |
|
2SC2959 | NEC |
NPN Silicon Transistor DATA SHEET
SILICON TRANSISTORS
2SC2958, 2959
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS
FEATURES • Ideal for use of high voltage current such as TV vertical
deflection (drive and output), audio output, pin cushion correction • Complementary transisto |
|
2SK2959 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK2959
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-569C (Z) 4th. Edition Aug 1998 Features
• Low on-resistance R DS(on) = 7mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching
Outline
TO–220AB
D
G
1 2 S 3
1. Gate 2. Drain(Flange 3. Source
2S |
|
AN12959A | Panasonic Semiconductor |
I2C bus control compatible AGC built-in stereo BTL amplifier IC DATA SHEET
Part No. Package Code No.
AN12959A
UBGA021-W-2525AEA
Publication date: October 2008
SDE00028BEB
1
AN12959A Contents
Overview Features Package Type ……..…………………………………………………………………� |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |