|
K2936 даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk2936». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K2936 | Renesas |
Silicon N Channel MOS FET 2SK2936
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ.
• High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
REJ03G1050-0400 (Previous: ADE-208-559B)
Rev.4.00 Sep 07, 2005
RENESAS Package code: PRSS0003AE-A (Package name: TO-220C•FM)
D
G
1. Gate 2. Drain 3. Source
12 3
S
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7
2SK2936
Absolute Maximum Ratings
Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak curre |
|
K2936 | Hitachi Semiconductor |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK2936 www.DataSheet.co.kr
2SK2936
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-559B (Z) 3rd. Edition Jun 1998 Features
• Low on-resistance R DS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
TO–220CFM
D
G 1 2 3
S
1. Gate 2. Drain 3. Source
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
www.DataSheet.co.kr
2SK2936
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body-drai |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |